|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
Ю. В. Малевич, Р. Адомавичюс, А. Кроткус, В. Пачебутас, В. Л. Малевич, “Спектральная зависимость анизотропной пикосекундной фотопроводимости
в кубических полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 101:2 (2015), 112–117   ; Yu. V. Malevich, R. Adomavicius, A. Krotkus, V. Pacebutas, V. L. Malevich, “Spectral dependence of anisotropic picosecond photoconductivity in cubic semiconductors”, JETP Letters, 101:2 (2015), 108–112   |
|
2012 |
| 2. |
П. А. Зезюля, В. Л. Малевич, И. С. Манак, А. Кроткус, “Генерация терагерцового излучения поверхностным баллистическим фототоком при субпикосекундном лазерном возбуждении полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 152–157 ; P. A. Ziaziulia, V. L. Malevich, I. S. Manak, A. Krotkus, “Generation of terahertz radiation by a surface ballistic photocurrent in semiconductors under subpicosecond laser excitation”, Semiconductors, 46:2 (2012), 143–148 |
5
|
|
1990 |
| 3. |
В. Балинас, А. Т. Гореленок, А. Кроткус, А. Сталненис, Н. М. Шмидт, “Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической
стробирующей установки”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 848–854 |
| 4. |
А. Галванаускас, А. Кроткус, Е. Л. Портной, Н. М. Стельмах, “Электрооптическое стробирование при помощи пикосекундного
инжекционного лазера”, Письма в ЖТФ, 16:2 (1990), 29–33 |
|
1989 |
| 5. |
В. Балинас, А. Галдикас, А. Кроткус, А. Сталненис, Т. Г. Аминов, “Пикосекундная фотопроводимость в CdCr$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1859–1863 |
| 6. |
А. Галванаускас, А. Кроткус, А. Лазутка, Е. Л. Портной, Н. М. Стельмах, “Генерация и стробирование пикосекундных электрических
импульсов устройством, основанным
на использовании полупроводникового лазера”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989), 72–75 |
| 7. |
А. Галванаускас, Ф. Вайтекунас, А. Кроткус, К. Суткус, “Пикосекундное оптоэлектронное переключение при помощи полупроводникового инжекционного лазера”, Квантовая электроника, 16:5 (1989), 1057–1060 [A. Galvanauskas, F. Vaǐtekunas, A. Krotkus, K. Sutkus, “Picosecond optoelectronic switching with the aid of a semiconductor injection laser”, Sov J Quantum Electron, 19:5 (1989), 686–687 ] |
|
1987 |
| 8. |
Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, М. Игнатавичус, В. И. Корольков, А. Кроткус, В. Поцюнас, Н. М. Шмидт, “Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов
электрическим полем”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 70–74 |
|
1986 |
| 9. |
А. Кроткус, З. Мартунас, А. Шяткус, “Электропроводность теплых дырок в дислокационном теллуре”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 481–485 |
| 10. |
В. Балинас, А. Кроткус, “Влияние упругих деформаций на электропроводность теллура”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 129–132 |
|
1985 |
| 11. |
Т. Лидейкис, А. Плитникас, И. Шимкене, А. Кроткус, “Влияние заполнения неосновных минимумов зоны проводимости
на эффект Холла в $n$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 977–981 |
|
1984 |
| 12. |
Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Кроткус, “Пикосекундная фотопроводимость арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1422–1425 |
| 13. |
А. А. Акопян, К. Ю. Гуга, З. Б. Добровольскис, А. Кроткус, “Кинетика установления магнитоконцентрационного эффекта
в несобственных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 54–61 |
|
1983 |
| 14. |
А. Кроткус, А. Плитникас, И. Шимкене, “Пороговое поле эффекта Ганна и его связь со структурой зоны
проводимости Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2180–2183 |
| 15. |
В. Балинас, А. Кроткус, “Ганновские домены в теллуре собственной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1482–1485 |
|
