|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков, Г. Э. Цырлин, H. S. Leipner, “Температурное тушение спонтанного излучения в туннельно-инжекционных наноструктурах”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1531–1539   ; V. G. Talalaev, B. V. Novikov, G. È. Cirlin, H. S. Leipner, “Temperature quenching of spontaneous emission in tunnel-injection nanostructures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1483–1492 |
1
|
|
2012 |
| 2. |
В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, А. В. Сеничев, J. W. Tomm, P. Werner, Б. В. Новиков, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, “Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1492–1503 ; V. G. Talalaev, A. A. Tonkikh, N. D. Zakharov, A. V. Senichev, J. W. Tomm, P. Werner, B. V. Novikov, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, “Light-emitting tunneling nanostructures based on quantum dots in a Si and GaAs matrix”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1460–1470 |
9
|
|
1988 |
| 3. |
Й. Шрайбер, Г. С. Лейпнер, “Рекомбинационно-стимулированное движение дислокаций в соединениях A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2304–2308 [J. Schreiber, H. S. Leipner, “Recombination-induced motion of dislocations in III-V compounds”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1440–1443  ] |
|
