|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Н. Е. Корсунская, Е. П. Шульга, Т. Р. Стара, П. М. Литвин, В. А. Бондаренко, “Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 112–119   ; N. E. Korsunskaya, E. P. Shulga, T. R. Stara, P. M. Litvin, V. A. Bondarenko, “Mechanisms of the degradation of Schottky-barrier photodiodes based on ZnS single crystals”, Semiconductors, 50:1 (2016), 112–119 |
3
|
|
2013 |
| 2. |
Н. Е. Корсунская, Ю. Ю. Бачериков, Т. Р. Стара, В. П. Кладько, Н. П. Баран, Ю. О. Полищук, А. В. Кучук, А. Г. Жук, Е. Ф. Венгер, “Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 702–709 ; N. E. Korsunskaya, Yu. Yu. Bacherikov, T. R. Stara, V. P. Klad'ko, N. P. Baran, Yu. O. Polishchuk, A. V. Kuchuk, A. G. Zhuk, E. F. Venger, “Features of ZnS-powder doping with a Mn impurity during synthesis and subsequent annealing”, Semiconductors, 47:5 (2013), 713–720 |
8
|
|
2012 |
| 3. |
Ю. Ю. Бачериков, Н. Е. Корсунская, В. П. Кладько, Е. Ф. Венгер, Н. П. Баран, А. В. Кучук, А. Г. Жук, “Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 198–203 ; Yu. Yu. Bacherikov, N. E. Korsunskaya, V. P. Klad'ko, E. F. Venger, N. P. Baran, A. V. Kuchuk, A. G. Zhuk, “Structural transformations in ZnS:Cu in the course of thermal annealing”, Semiconductors, 46:2 (2012), 188–192 |
5
|
|
1992 |
| 4. |
И. В. Крюкова, В. А. Теплицкий, Е. П. Шульга, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, “Влияние избыточного давления паров компонентов на ансамбль точечных дефектов в кристаллах CdS”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1054–1062 |
| 5. |
А. Байдуллаева, Б. М. Булах, Б. К. Даулетмуратов, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, П. Е. Мозоль, Г. Гарягдыев, “Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства $p$-CdTe”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 801–805 |
|
1985 |
| 6. |
Н. А. Давыдова, Н. Е. Корсунская, М. Д. Моин, И. Ю. Шаблий, “Распределение дефектов, образованных лазерным излучением в монокристаллах CdS”, Физика твердого тела, 27:3 (1985), 767–771  |
| 7. |
А. П. Ахоян, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, “Эффект аккумуляции дефектов на поверхности полупроводника вследствие их дрейфа в поле приповерхностного изгиба зон”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 41–46 |
| 8. |
Б. Ембергенов, Н. Е. Корсунская, Л. Г. Суховерхова, М. К. Шейнкман, “Голографические решетки в кристаллах CdS:Cu с дифракционной эффективностью, зависящей от интенсивности считывающего пучка”, Квантовая электроника, 12:3 (1985), 603–605 [B. Embergenov, N. E. Korsunskaya, L. G. Sukhoverkhova, M. K. Sheǐnkman, “Holographic gratings in CdS:Cu crystals with a diffraction efficiency dependent on the readout beam intensity”, Sov J Quantum Electron, 15:3 (1985), 391–392 ] |
|
1984 |
| 9. |
А. Байдуллаева, И. Я. Городецкий, Н. Е. Корсунская, П. Е. Мозоль, Г. Н. Полисский, “Влияние лазерного облучения на свойства монокристаллов твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1334–1338 |
|
