|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
С. С. Арутюнян, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1138–1142   ; S. S. Arutyunyan, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “On a two-layer Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ dielectric mask for low-resistance ohmic contacts to AlGaN/GaN HEMTs”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1117–1121 |
6
|
|
2014 |
| 2. |
Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Ю. В. Федоров, П. П. Мальцев, “MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 73–76 ; D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, R. R. Galiev, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, Yu. V. Fedorov, P. P. Maltsev, “MHEMT with a power-gain cut-off frequency of $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 THz on the basis of a In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs nanoheterostructure”, Semiconductors, 48:1 (2014), 69–72 |
18
|
|
1995 |
| 3. |
Ю. В. Федоров, “Оптимальная компоновка оптических систем с пространственными модуляторами света”, Квантовая электроника, 22:10 (1995), 1065–1066 [Yu. V. Fedorov, “Optimal configuration of optical systems with spatial light modulators”, Quantum Electron., 25:10 (1995), 1030–1031  ] |
1
|
|
