|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
П. Г. Харитонова, Е. Г. Глуховской, А. В. Козловский, С. В. Стецюра, “Фотоэлектрические характеристики и морфология поверхности сульфида кадмия, модифицированного арахинатом железа”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 518–521   |
| 2. |
М. В. Гавриков, Е. Г. Глуховской, Н. Д. Жуков, “Квантовая проводимость в одиночных и связанных квантово-размерных частицах узкозонных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 338–342 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
В. Ф. Кабанов, Е. Г. Глуховской, Д. С. Мосияш, Н. Д. Жуков, “Особенности эмиссии в нанозёренной структуре полупроводников”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 8(74), 26–31 |
| 4. |
N. N. Begletsova, A. J. K. Al-Alwani, V. S. Atkin, V. P. Sevostyanov, E. G. Glukhovskoy, “Influence of copper nanoparticle film processing temperature on their structure and electrical properties”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018), 586–596  |
| 5. |
A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, E. G. Glukhovskoy, M. I. Shishkin, M. V. Gavrikov, “Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018), 464–467 |
1
|
| 6. |
O. A. Shinkarenko, M. V. Pozharov, A. S. Kolesnikova, A. S. Chumakov, A. J. K. Al-Alwani, O. Yu. Tsvetkova, E. G. Glukhovskoy, “Catalytic pyrene and pyrene butyric acid condensation as a means of producing graphene”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 106–109 |
| 7. |
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, И. А. Горбачев, Е. Г. Глуховской, “Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 603–607 ; A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, I. A. Gorbachev, E. G. Glukhovskoy, “Study of the properties of II–VI and III–V semiconductor quantum dots”, Semiconductors, 52:6 (2018), 750–754 |
12
|
|
2017 |
| 8. |
N. D. Zhukov, A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, E. G. Glukhovskoy, “Features of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:5 (2017), 596–599 |
1
|
| 9. |
Аммар Ж.К.Аль-Алвани, А. С. Чумаков, М. В. Пожаров, Е. Г. Глуховской, “Механизмы фотоотклика монослойной структуры на основе графена с квантовыми точками”, Квантовая электроника, 47:10 (2017), 977–980 [Ammar J. K. Al-Alwani, A. S. Chumakov, M. V. Pozharov, E. G. Glukhovskoy, “Photoresponse mechanisms of a graphene-based quantum-dot monolayer structure”, Quantum Electron., 47:10 (2017), 977–980  ] |
2
|
|
2016 |
| 10. |
Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, Д. С. Мосияш, “Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен поверхности полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 911–917 ; N. D. Zhukov, E. G. Glukhovskoy, D. S. Mosiyash, “Local emission spectroscopy of surface micrograins in A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ semiconductors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 894–900 |
7
|
| 11. |
Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, А. А. Хазанов, “Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 772–776 ; N. D. Zhukov, E. G. Glukhovskoy, A. A. Khazanov, “On the local injection of emitted electrons into micrograins on the surface of А$^{\mathrm{III}}$–В$^{\mathrm{V}}$ semiconductors”, Semiconductors, 50:6 (2016), 756–760 |
5
|
| 12. |
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, И. А. Горбачев, Е. Г. Глуховской, “Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 51–58 ; A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, I. A. Gorbachev, E. G. Glukhovskoy, “A study of specific features of the electronic spectrum of quantum dots in CdSe semiconductor”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 796–798 |
2
|
|
2015 |
| 13. |
И. А. Горбачев, С. Н. Штыков, Е. Г. Глуховской, “Получение и флуоресценция многослойных пленок Ленгмюра – Блоджетт, содержащих квантовые точки CdSe/CdS/ZnS”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 15:1 (2015), 40–45 |
2
|
| 14. |
С. В. Стецюра, Е. Г. Глуховской, А. В. Козловский, И. В. Маляр, “Создание ультратонкого источника примеси для снижения радиационных потерь фоточувствительных пленок CdS”, ЖТФ, 85:5 (2015), 116–122 ; S. V. Stetsyura, E. G. Glukhovskoy, A. V. Kozlowski, I. V. Malyar, “Fabrication of ultrathin impurity source to minimize radiation-induced losses in photosensitive films of CdS”, Tech. Phys., 60:5 (2015), 746–752 |
5
|
| 15. |
Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, Д. С. Мосияш, “Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 41:22 (2015), 1–7 ; N. D. Zhukov, E. G. Glukhovskoy, D. S. Mosiyash, “Local field emission spectroscopy of InSb micrograins”, Tech. Phys. Lett., 41:11 (2015), 1068–1071 |
4
|
| 16. |
Е. Г. Глуховской, Н. Д. Жуков, “Кулоновская блокада и перенос заряда в микрозернах антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 41:14 (2015), 47–55 ; E. G. Glukhovskoy, N. D. Zhukov, “Coulomb blockade and charge transfer in InSb micrograins”, Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 687–690 |
11
|
|
2013 |
| 17. |
А. С. Чумаков, И. А. Горбачев, А. В. Ермаков, В. П. Ким, Е. Г. Глуховской, “Ленгмюровские монослои в электрическом поле”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:2 (2013), 80–83 |
| 18. |
А. В. Ермаков, В. П. Ким, А. С. Чумаков, И. А. Горбачев, Д. А. Горин, А. А. Савонин, И. В. Видяшева, Г. Б. Хомутов, Е. Г. Глуховской, “Управление целостностью нанокомпозитных микроструктур на основе липидов, полимеров и неорганических наночастиц в электрическом поле”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:2 (2013), 57–61 |
| 19. |
И. А. Горбачев, А. С. Чумаков, А. В. Ермаков, В. П. Ким, Е. С. Сперанская, И. Ю. Горячева, Е. Г. Глуховской, “Исследование многослойных структур на основе пленок Ленгмюра-Блоджетт, содержащих квантовые точки CdSe/ZnS”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:2 (2013), 54–57 |
|
