|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Физические аспекты изменений в светоизлучающих структурах с InGaN/GaN квантовыми ямами при нагреве и кратковременных электрических воздействиях”, Оптика и спектроскопия, 133:4 (2025), 390–394   |
|
2024 |
| 2. |
Г. В. Ненашев, А. М. Иванов, П. А. Алешин, Р. С. Крюков, А. Н. Алешин, “Импедансная спектроскопия и низкочастотный шум в тонких пленках углеродных квантовых точек”, Физика твердого тела, 66:7 (2024), 1189–1194 |
| 3. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Падение внешней квантовой эффективности при охлаждении и плотности шума при нагревании в InGaN-ультрафиолетовых светодиодах”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 35–38 |
|
2022 |
| 4. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Деградация ультрафиолетовых светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN, вызванная кратковременными воздействиями током”, ЖТФ, 92:2 (2022), 283–290 |
| 5. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Влияние низкой температуры на электрофизические и шумовые характеристики ультрафиолетовых светодиодов на основе структур с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 596–600 |
|
2021 |
| 6. |
А. М. Иванов, “Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности”, ЖТФ, 91:1 (2021), 76–81 ; A. M. Ivanov, “Low-frequency noise in light-emitting diodes based on InGaN/GaN quantum wells under electric actions accompanied with an increase in the external quantum efficiency”, Tech. Phys., 66:1 (2021), 71–76  |
2
|
|
2019 |
| 7. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер, “Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 104–110 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter, “Current noise and efficiency droop of light-emitting diodes in defect-assisted carrier tunneling from an InGaN/GaN quantum well”, Semiconductors, 53:1 (2019), 99–105 |
8
|
|
2016 |
| 8. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102 |
5
|
|
2015 |
| 9. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. С. Коготков, Ю. Т. Ребане, М. В. Вирко, Ю. Г. Шретер, “Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 847–855 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. S. Kogotkov, Yu. T. Rebane, M. V. Virko, Yu. G. Shreter, “Hopping transport in the space-charge region of $p$–$n$ structures with InGaN/GaN QWs as a source of excess $1/f$ noise and efficiency droop in LEDs”, Semiconductors, 49:6 (2015), 827–835 |
7
|
|
2012 |
| 10. |
А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев, “Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения”, ЖТФ, 82:4 (2012), 131–135 ; A. M. Ivanov, N. B. Strokan, A. A. Lebedev, “Radiation resistance of wide-gap materials as exemplified by SiC nuclear radiation detectors”, Tech. Phys., 57:4 (2012), 556–560 |
2
|
| 11. |
В. Б. Шуман, А. А. Махова, Ю. А. Астров, А. М. Иванов, А. Н. Лодыгин, “О растворимости серы в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 993–994 ; V. B. Shuman, A. A. Makhova, Yu. A. Astrov, A. M. Ivanov, A. N. Lodygin, “Solubility of sulfur in silicon”, Semiconductors, 46:8 (2012), 969–970 |
4
|
| 12. |
V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovski, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, G. Wagner, “Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 473–481 ; Semiconductors, 46:4 (2012), 456–465 |
33
|
|
1992 |
| 13. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, “Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1962–1970 |
| 14. |
В. К. Еремин, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, “Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 477–480 |
|
1987 |
| 15. |
В. С. Мыльников, А. М. Иванов, “Голографические характеристики жидкокристаллического модулятора света
на твист-эффекте с органическим полимерным фотопроводником”, ЖТФ, 57:4 (1987), 729–734  |
| 16. |
А. М. Иванов, В. С. Мыльников, “Пространственно-временно́й модулятор света на основе структуры
фотопроводящий органический полимер–жидкий кристалл с твист-эффектом”, ЖТФ, 57:3 (1987), 598–600 |
|
