|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
П. В. Покровский, В. П. Хвостиков, А. В. Малевская, О. А. Хвостикова, “Особенности тестирования микроразмерных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 205–208  |
| 2. |
В. П. Хвостиков, А. В. Малевская, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, “Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 50–53  |
|
2024 |
| 3. |
О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия”, ЖТФ, 94:5 (2024), 801–807 |
| 4. |
Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, “Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al–Ga–As–Sn”, Письма в ЖТФ, 50:1 (2024), 36–38 |
|
2023 |
| 5. |
Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, “Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al–Ga–As–Sn методом жидкофазной эпитаксии”, ЖТФ, 93:10 (2023), 1476–1480 |
|
2021 |
| 6. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 956–959 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, M. V. Nakhimovich, M. Z. Shvarts, “GaSb-based thermophotovoltaic converters of IR selective emitter radiation”, Semiconductors, 55:11 (2021), 840–843 |
5
|
|
2020 |
| 7. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1764–1768 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Laser power converter modules with a wavelength of 809–850 nm”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1690–1694 |
|
2019 |
| 8. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, В. М. Андреев, “Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 30–33 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 |
11
|
| 9. |
А. В. Малевская, В. П. Хвостиков, Ф. Ю. Солдатенков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 12–15 ; A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 |
3
|
|
2018 |
| 10. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 |
10
|
| 11. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 385–389 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Modification of photovoltaic laser-power ($\lambda$ = 808 nm) converters grown by LPE”, Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370 |
22
|
| 12. |
В. П. Хвостиков, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, А. Н. Паньчак, В. М. Андреев, “Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 42–48 ; V. P. Khvostikov, P. V. Pokrovskii, O. A. Khvostikova, A. N. Panchak, V. M. Andreev, “High-efficiency AlGaAs/GaAs photovoltaic converters with edge input of laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 776–778 |
7
|
|
2017 |
| 13. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, “Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 676–679 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, “Laser ($\lambda$ = 809 nm) power converter based on GaAs”, Semiconductors, 51:5 (2017), 645–648 |
20
|
|
2016 |
| 14. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1358–1362 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 |
10
|
|
2013 |
| 15. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, Н. С. Потапович, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 273–279 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, N. S. Potapovich, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “High-efficiency GaSb photocells”, Semiconductors, 47:2 (2013), 307–313 |
11
|
|
