|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Ю. А. Баринов, К. К. Забелло, А. А. Логачев, И. Н. Полуянова, Е. В. Шерстнев, С. М. Школьник, “Излучение короткой сильноточной вакуумной дуги в области вакуумного ультрафиолета”, Письма в ЖТФ, 50:24 (2024), 40–43   |
| 2. |
М. К. Мягких, П. А. Дементьев, Е. В. Дементьева, Е. В. Шерстнёв, М. В. Заморянская, “Разработка методики количественного сравнения оптической мощности самосветящихся кристаллов”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 12–16 |
| 3. |
П. Н. Аруев, И. М. Гаджиев, В. В. Забродский, А. В. Николаев, Е. В. Шерстнёв, “Памяти Серенкова И.Т. Кремниевый лавинный фотодиод с фронтом нарастания фотоотклика меньше 350 ps на длине волны 1064 nm”, Письма в ЖТФ, 50:6 (2024), 15–18 |
|
2023 |
| 4. |
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, А. А. Бекман, Э. И. Моисеев, Ю. А. Салий (Гусева), М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, А. В. Николаев, Е. В. Шерстнев, М. В. Максимов, “Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 767–772 |
|
2022 |
| 5. |
П. Н. Аруев, В. П. Белик, А. А. Блохин, В. В. Забродский, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Памяти Е.М. Круглова и Филимонова В.В. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазонах длин волн 114–170 и 210–1100 nm”, Письма в ЖТФ, 48:5 (2022), 3–6 |
|
2021 |
| 6. |
А. В. Воронин, В. Ю. Горяинов, В. В. Забродский, Е. В. Шерстнев, В. А. Корнев, П. Н. Аруев, Г. С. Курскиев, Н. А. Жубр, А. С. Тукачинский, “Измерение электронной температуры плазмы фольговым рентгеновским спектрометром, установленным на токамаках ТУМАН-3М и Глобус-М2”, ЖТФ, 91:12 (2021), 1922–1929 |
1
|
| 7. |
Ю. А. Баринов, К. К. Забелло, А. А. Логачёв, И. Н. Полуянова, Е. В. Шерстнев, С. М. Школьник, “Мощность излучения сильноточной вакуумной дуги, стабилизированной аксиальным магнитным полем, в видимой и ультрафиолетовой областях спектра”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 18–20 ; Yu. A. Barinov, K. K. Zabello, A. A. Logachev, I. N. Poluyanova, E. V. Sherstnev, S. M. Shkol'nik, “Radiation power of a high-current vacuum arc stabilized by an axial magnetic field in the visible and UV ranges of the spectrum”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 118–121 |
8
|
|
2020 |
| 8. |
П. Н. Аруев, В. П. Белик, В. В. Забродский, Е. М. Круглов, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120–170 nm”, ЖТФ, 90:8 (2020), 1386–1392 ; P. N. Aruev, V. P. Belik, V. V. Zabrodskii, E. M. Kruglov, A. V. Nikolaev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon avalanche photodiode in the wavelength range of 120–170 nm”, Tech. Phys., 65:8 (2020), 1333–1339 |
3
|
| 9. |
П. Н. Аруев, А. И. Берлёв, В. В. Забродский, С. В. Задорожный, А. В. Николаев, Н. А. Титов, Е. В. Шерстнев, “Детектор для регистрации электронов с энергией 5–30 keV в установке “Троицк ню-масс””, ЖТФ, 90:4 (2020), 693–698 ; P. N. Aruev, A. I. Berlev, V. V. Zabrodskii, S. V. Zadorozhny, A. V. Nikolaev, N. A. Titov, E. V. Sherstnev, “Detector for detection of electrons with an energy of 5–30 keV for the “Troitsk nu-mass” setup”, Tech. Phys., 65:4 (2020), 666–671 |
|
2019 |
| 10. |
Н. А. Соболев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, А. Д. Бондарев, К. В. Карабешкин, Е. В. Фомин, А. Е. Калядин, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, “Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 437–440 ; N. A. Sobolev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, A. D. Bondarev, K. V. Karabeshkin, E. V. Fomin, A. E. Kalyadin, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, “Defect formation under nitrogen-ion implantation and subsequent annealing in GaAs structures with an uncovered surface and a surface covered with an AlN film”, Semiconductors, 53:4 (2019), 415–418 |
2
|
| 11. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнев, “Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 10–13 ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon XUV avalanche photodiode in the 320–1100 nm wavelength range”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1226–1229 |
3
|
| 12. |
П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, А. Н. Горохов, В. В. Забродский, Д. Ю. Казанцев, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнёв, “Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 40–42 ; P. N. Aruev, B. Ya. Ber, A. N. Gorokhov, V. V. Zabrodskii, D. Yu. Kazantsev, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Characteristics of a silicon avalanche photodiode for the near-IR spectral range”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 780–782 |
2
|
|
2018 |
| 13. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, Р. Н. Кютт, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, В. И. Вдовин, “Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 24–30 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, R. N. Kyutt, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, V. I. Vdovin, “Defect structure of GaAs layers implanted with nitrogen ions”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 817–819 |
3
|
| 14. |
Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50 ; N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 |
6
|
|
2013 |
| 15. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, В. П. Белик, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, М. С. Лазеева, А. Д. Николенко, В. Л. Суханов, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 178–181 ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, V. P. Belik, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, M. V. Drozdova, N. V. Zabrodskaya, M. S. Lazeeva, A. D. Nikolenko, V. L. Sukhanov, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Photoresponse recovery in silicon photodiodes upon VUV irradiation”, Semiconductors, 47:2 (2013), 213–216 |
| 16. |
В. Л. Суханов, П. Н. Аруев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, М. С. Лазеева, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Кремниевые детекторы с вольт-амперной характеристикой “идеального” диода в приборостроении”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 174–177 ; V. L. Sukhanov, P. N. Aruev, M. V. Drozdova, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, M. S. Lazeeva, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Utilization of silicon detectors with “ideal-diode” current-voltage characteristics”, Semiconductors, 47:2 (2013), 209–212 |
1
|
|
