|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Е. А. Воробьева, А. П. Евсеев, А. А. Татаринцев, Д. О. Пешнина, А. А. Шемухин, “Влияние энергии электронного пучка на характеристики зарядки полимерных композитов с включением углеродных нанотрубок”, Письма в ЖТФ, 49:12 (2023), 34–38   |
|
2021 |
| 2. |
E. M. Elsehly, А. П. Евсеев, Е. А. Воробьева, Ю. В. Балакшин, Н. Г. Чеченин, А. А. Шемухин, “Влияние облучения ионами аргона на фильтрационные свойства многостенных углеродных нанотрубок”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 21–25 |
|
2019 |
| 3. |
А. И. Морковкин, Е. А. Воробьева, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Модификация смачиваемости углеродных нанотрубок с помощью ионного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1692–1696 ; A. I. Morkovkin, E. A. Vorobyeva, A. P. Evseev, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, “Modification of carbon nanotubes wettability by ion irradiation”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1683–1687 |
8
|
| 4. |
А. В. Кожемяко, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 810–815 ; A. V. Kozhemiako, A. P. Evseev, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, “Features of defect formation in the nanostructured silicon under ion irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 800–805 |
9
|
|
