|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Г. Зегря, В. В. Соколов, Г. Г. Зегря, Ю. В. Ганин, Ю. М. Михайлов, “Влияние уровня легирования исходных монокристаллов кремния на параметры структуры пористого кремния, полученного методом электрохимического травления”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 3–6   ; A. G. Zegrya, V. V. Sokolov, G. G. Zegrya, Yu. V. Ganin, Yu. M. Mikhailov, “The effect of the doping level of starting silicon single crystals on structural parameters of porous silicon produced by electrochemical etching”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1067–1070 |
2
|
|
