|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
О. Л. Ермолаева, Е. В. Скороходов, Р. В. Горев, Е. В. Демидов, С. В. Ситников, Д. А. Насимов, М. В. Сапожников, “Теоретические и экспериментальные исследования микромагнитов для создания кремниевого квантового процессора”, ЖТФ, 94:7 (2024), 1071–1078   |
| 2. |
Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, А. В. Антонов, Л. В. Красильникова, Д. А. Шмырин, П. А. Юнин, З. Ф. Красильник, С. В. Ситников, Д. В. Щеглов, “Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений”, Письма в ЖТФ, 50:10 (2024), 22–25 |
|
2019 |
| 3. |
С. В. Ситников, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 805–809 ; S. V. Sitnikov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, “Electromigration effect on vacancy islands nucleation on Si(100) surface during sublimation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 795–799 |
1
|
| 4. |
А. С. Петров, С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 456–461 ; A. S. Petrov, S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Micro-pits evolution on large terraces of Si(111) surface during high-temperature annealing”, Semiconductors, 53:4 (2019), 434–438 |
4
|
|
2017 |
| 5. |
С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 212–215 ; S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth”, Semiconductors, 51:2 (2017), 203–206 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
С. В. Ситников, А. В. Латышев, С. С. Косолобов, “Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 607–611 ; S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov, “Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation”, Semiconductors, 50:5 (2016), 596–600 |
1
|
|
