|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов, “Пространственная неоднородность ударно-ионизационного переключения силовых кремниевых тиристоров”, ЖТФ, 94:5 (2024), 771–782   |
|
2023 |
| 2. |
С. К. Любутин, В. Е. Патраков, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов, “Пространственная неоднородность ударно-ионизационного переключения силового кремниевого диода”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 594–602 |
|
2017 |
| 3. |
А. И. Гусев, С. К. Любутин, С. Н. Рукин, С. Н. Цыранов, “Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 680–688 ; A. I. Gusev, S. K. Lyubutin, S. N. Rukin, S. N. Tsyranov, “Study of the voltage drop process for the case of high-power thyristors switched in the impact-ionization mode”, Semiconductors, 51:5 (2017), 649–656 |
9
|
|
2016 |
| 4. |
А. И. Гусев, С. К. Любутин, С. Н. Рукин, С. Н. Цыранов, “Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 398–407 ; A. I. Gusev, S. K. Lyubutin, S. N. Rukin, S. N. Tsyranov, “High-power thyristor switching via an overvoltage pulse with nanosecond rise time”, Semiconductors, 50:3 (2016), 394–403 |
15
|
|
2014 |
| 5. |
А. И. Гусев, С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов, “Пикосекундное переключение тока высокой плотности (60 кА/см$^2$) кремниевым коммутатором на основе сверхбыстрого фронта ионизации”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1095–1106 ; A. I. Gusev, S. K. Lyubutin, S. N. Rukin, B. G. Slovikovsky, S. N. Tsyranov, “On the picosecond switching of a high-density current (60 kA/cm$^2$) via a Si closing switch based on a superfast ionization front”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1067–1078 |
27
|
|
2013 |
| 6. |
С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов, “Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 658–666 ; S. K. Lyubutin, S. N. Rukin, B. G. Slovikovsky, S. N. Tsyranov, “Generation of powerful microwave voltage oscillations in a diffused silicon diode”, Semiconductors, 47:5 (2013), 670–678 |
4
|
|
2012 |
| 7. |
С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов, “Работа полупроводникового прерывателя при сверхвысоких плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 535–543 ; S. K. Lyubutin, S. N. Rukin, B. G. Slovikovsky, S. N. Tsyranov, “Operation of a semiconductor opening switch at ultrahigh current densities”, Semiconductors, 46:4 (2012), 519–527 |
14
|
|
