Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Ольшанецкий Борис Зейликович
доктор физико-математических наук (1986)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)
Дата рождения: 22.11.1936
E-mail:
Сайт: https://prabook.com/web/boris_zeylikovich.olshanetsky/446305

Научная биография:

Ольшанецкий, Борис Зейликович. Исследование поверхностей германия и кремния методом дифракции медленных электронов : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07. - Новосибирск, 1974. - 130 с.

Ольшанецкий, Борис Зейликович. Атомарно-чистые поверхности моноатомных полупроводников : структура и фазовые переходы : дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.07. - Новосибирск, 1986. - 334 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person69871
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=275
https://www.researchgate.net/profile/B-Olshanetsky

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2012
1. Р. А. Жачук, Б. З. Ольшанецкий, Ж. Кутиньо, “Природа контраста в слоях Ge/Si(111) в сканирующей туннельной микроскопии в присутствии сурфактантов Bi и Sb”, Письма в ЖЭТФ, 95:5 (2012),  283–289  mathnet  elib; R. A. Zhachuk, B. Z. Olshanetsky, J. Coutinho, “Nature of contrast in Ge/Si(111) layers in scanning tunneling microscopy in the presence of Bi and Sb surfactants”, JETP Letters, 95:5 (2012), 259–265  isi  elib  scopus
2011
2. К. Н. Романюк, А. А. Шкляев, Б. З. Ольшанецкий, А. В. Латышев, “Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011),  740–745  mathnet; K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, B. Z. Olshanetsky, A. V. Latyshev, “Formation of Ge clusters at a Si(111)-Bi-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ surface”, JETP Letters, 93:11 (2011), 661–666  isi  scopus 3
2004
3. Р. А. Жачук, C. А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, “Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si(557)”, Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004),  467–469  mathnet; R. A. Zhachuk, S. A. Teys, B. Z. Olshanetskii, “Formation of silver nanodots and nanowires on a Si(557) surface”, JETP Letters, 79:8 (2004), 381–382  scopus 15
1986
4. Ю. Б. Болховитянов, Р. И. Болховитянова, Ю. Д. Ваулин, Б. З. Ольшанецкий, “О природе разделительного слоя AlGaAs на поверхности GaAs при ее изотермическом контакте с жидкой фазой Al$-$Ga$-$As”, ЖТФ, 56:3 (1986),  601–603  mathnet  isi

Организации