|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. Б. Смирницкий, Н. Н. Фалеев, “Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной
гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 60:3 (1990), 123–128 |
| 2. |
А. И. Гуриев, А. Г. Дерягин, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Скоростные свойства InGaAsP/InP ($\lambda=1.55$ мкм) РОС-лазеров
с коротковолновой расслойкой”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990), 61–65 |
| 3. |
А. И. Гуриев, А. Г. Дерягин, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Особенности заращивания профилированной поверхности волновода
в InGaAsP/InP лазерах с РОС”, Письма в ЖТФ, 16:8 (1990), 5–9 |
|
1989 |
| 4. |
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, А. Г. Дерягин, В. Г. Дураев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной, “Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики
InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 47–51 |
| 5. |
Л. А. Волков, А. И. Гуриев, В. Г. Данильченко, А. Г. Дерягин, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной, “Генерация и регистрация пикосекундных оптических импульсов
в InGaAsP/InP ($\lambda=1.5{-}1.6$ мкм) лазерах с пассивной модуляцией
добротности”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989), 6–9 |
| 6. |
А. И. Гуриев, А. Г. Дерягин, Ф. И. Димов, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Внутренняя генерация второй гармоники в InGaAsP/InP
($\lambda= 1.55$ мкм) лазерах с раздельным ограничением”, Письма в ЖТФ, 15:9 (1989), 67–72 |
|
1988 |
| 7. |
А. И. Гуриев, С. А. Никишин, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “РОС — генерация в InGaAsP/InP ($\lambda=1. 5{-}1.6$ мкм)
лазерах с составным активным слоем”, Письма в ЖТФ, 14:12 (1988), 1082–1088 |
| 8. |
К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Особенности генерации в
InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 267–273 |
| 9. |
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, В. И. Кучинский, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2196–2198 [V. I. Baryshev, E. G. Golikova, V. P. Duraev, V. I. Kuchinskii, K. Yu. Kizhaev, D. V. Kuksenkov, E. L. Portnoǐ, V. B. Smirnitskiǐ, “Continuous-wave distributed-feedback InGaAsP (λ = 1.55 μm) injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1376–1378 ] |
2
|
|
1987 |
| 10. |
К. Гонсалес, П. Диас, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Гетероэпитаксиальные волноводы $Al_{x}\,Ga_{1-x}\,P$ с параболическим профилем показателя преломления для гибридных
интегрально-оптических систем”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1098–1103 |
| 11. |
В. И. Гладущак, С. Ю. Карпов, В. И. Кучинский, В. М. Лантратов, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. Б. Смирницкий, О. В. Смольский, “Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия”, Письма в ЖТФ, 13:15 (1987), 913–918 |
| 12. |
К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью”, Письма в ЖТФ, 13:10 (1987), 601–604 |
| 13. |
Ж. И. Алфёров, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной
температуре”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 513–517 |
| 14. |
К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем,
полученных жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 141–146 |
|
1986 |
| 15. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования
в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины
квантово-размерного активного слоя”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1222–1226 |
| 16. |
К. Фронц, Н. И. Майорова, В. А. Мишурный, В. И. Кучинский, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Показатель преломления твердых растворов $Ga\,In\,As\,P$ на длине волны лазерной генерации”, Письма в ЖТФ, 12:13 (1986), 827–831 |
| 17. |
В. И. Кучинский, Н. И. Майорова, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, Б. В. Пушный, В. Б. Смирницкий, А. С. Усиков, “Инжекционные гетеролазеры $Jn\,Ga\,As\,P/Jn\,P$ ($\lambda=1.5$ мкм) с распределенной обратной связью, полученные с использованием жидкофазной и газовой эпитаксий”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 296–300 |
| 18. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 205–210 |
|
1985 |
| 19. |
Ю. В. Ковальчук, В. И. Кучинский, В. Е. Мячин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, И. А. Соколов, М. Г. Васильев, “Инжекционный гетеролазер
InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом”, ЖТФ, 55:10 (1985), 2034–2036 |
| 20. |
А. А. Бакун, Б. А. Матвеев, В. Б. Смирницкий, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Вогнутые дифракционные решетки на поверхности монокристаллов”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1172–1175 |
| 21. |
Е. Н. Арутюнов, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, В. Б. Смирницкий, И. А. Соколов, “О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985), 921–924 |
|
1984 |
| 22. |
Б. В. Егоров, С. Ю. Карпов, М. Н. Мизеров, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Концентрирующие голографические дифракционные
решетки
II. Экспериментальные результаты”, ЖТФ, 54:10 (1984), 1948–1955 |
| 23. |
С. Ю. Карпов, М. Н. Мизеров, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Концентрирующие топографические дифракционные
решетки
I. Теория”, ЖТФ, 54:10 (1984), 1942–1947 |
| 24. |
С. Н. Александров, В. И. Васильев, Ф. И. Димов, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, В. А. Мишурный, В. Б. Смирницкий, “Генерация когерентного излучения и особенности волноводного
ограничения в гетероструктурах GaSb$-$Ga$_{1-x}$In$_{x}$Bb$_{1-y}$As$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984), 1081–1085 |
|
1983 |
| 25. |
К. Г. Каландаришвили, С. Ю. Карпов, В. И. Кучинский, М. Н. Мизеров, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Поляризационные эффекты в гетеролазерах с распределенной обратной
связью”, ЖТФ, 53:8 (1983), 1560–1567 |
| 26. |
С. В. Белотелов, А. Б. Коршунов, В. Б. Смирницкий, А. Н. Соляков, С. А. Шестериков, “« Горячее» ионное легирование $p$-InSb серой
(свойства $n{-}p$-переходов)”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1923–1925 |
| 27. |
Ж. И. Алфров, В. Н. Абакумов, Ю. В. Ковальчук, Г. В. Островская, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, И. А. Соколов, “Интерференционный лазерный отжиг полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 235–241 |
| 28. |
С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, Н. И. Майорова, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной
обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом”, Письма в ЖТФ, 9:21 (1983), 1294–1297 |
| 29. |
С. Ю. Карпов, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Полупроводниковая
волноводная гетероструктура
монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки”, Письма в ЖТФ, 9:17 (1983), 1047–1050 |
| 30. |
К. Фронц, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, Н. И. Майорова, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной
связью и накачкой инжекционным гетеролазером”, Письма в ЖТФ, 9:17 (1983), 1043–1046 |
| 31. |
Ю. В. Ковальчук, Е. Л. Портной, В. И. Скопина, В. Б. Смирницкий, О. В. Смольский, И. А. Соколов, “Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках
GaP в условиях интерференционного лазерного отжига”, Письма в ЖТФ, 9:14 (1983), 850–853 |
|