Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Vasil'evskii, Ivan Sergeevich
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person143186
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. E. A. Klimov, A. N. Vinichenko, I. S. Vasil'evskii, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, I. D. Burlakov, “Temperature influence on the crystal structure of CdTe(111) films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(100) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:3 (2025),  141–149  mathnet
2022
2. M. R. Konnikova, O. P. Cherkasova, T. A. Geints, E. S. Dizer, A. A. Man'kova, I. S. Vasil'evskii, A. A. Butylin, Yu. V. Kistenev, V. V. Tuchin, A. P. Shkurinov, “Study of adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy using terahertz metamaterials (Kvantovaya Elektronika, 52:1 (2022), 2–12)”, Kvantovaya Elektronika, 52:3 (2022),  288  mathnet
3. M. R. Konnikova, O. P. Cherkasova, T. A. Geints, E. S. Dizer, A. A. Man'kova, I. S. Vasilievskii, A. A. Butylin, Yu. V. Kistenev, V. V. Tuchin, A. P. Shkurinov, “Study of adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy using terahertz metamaterials”, Kvantovaya Elektronika, 52:1 (2022),  2–12  mathnet [Quantum Electron., 52:1 (2022), 2–12  isi  scopus] 6
2021
4. R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, D. S. Ponomarev, R. R. Galiev, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. N. Klochkov, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “3.3 THz quantum cascade laser based on a three GaAs/AlGaAs quantum-well active module with an operating temperature above 120 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  989–994  mathnet  elib 1
2020
5. A. N. Klochkov, E. A. Klimov, P. M. Solyankin, M. R. Konnikova, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. P. Shkurinov, G. B. Galiev, “Thz radiation of photoconductive antennas based on $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ superlattice structures”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020),  1004–1011  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017 5
2019
6. A. N. Vinichenko, D. A. Safonov, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron-quantum transport in pseudomorphic and metamorphic In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As-based quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:3 (2019),  359–364  mathnet  elib; Semiconductors, 53:3 (2019), 339–344
7. V. Yu. Fominskiy, R. I. Romanov, A. Soloviev, I. S. Vasil'evskii, D. A. Safonov, A. A. Ivanov, P. V. Zinin, V. P. Filonenko, “Features of pulsed laser annealing of ÂÑ$_{3}$ films on sapphire substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:9 (2019),  26–29  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 446–449
2018
8. S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. V. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1447–1454  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1551–1558 6
9. R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, I. S. Vasil'evskii, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, O. Yu. Volkov, V. V. Pavlovskiy, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, “Temperature dependences of the threshold current and output power of a quantum-cascade laser emitting at 3.3 THz”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1268–1273  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1380–1385 15
10. I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, N. A. Khval'kovskiy, S. K. Paprotskiy, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  472  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 473–477 1
11. D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron transport in phemt AlGaAs/InGaAs/GaAs ÐÍÅÌÒ quantum wells at different temperatures: influence of one-side $\delta$-Si doping”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:2 (2018),  201–206  mathnet  elib; Semiconductors, 52:2 (2018), 189–194 11
12. D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron effective mass and momentum relaxation time in one-sided $\delta$-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with high electron density”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:24 (2018),  120–127  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1174–1176 2
13. D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Peculiarities of silicon-donor ionization and electron scattering in pseudomorphous AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with heavy unilateral $\delta$-doping”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:4 (2018),  34–41  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 145–148 3
14. S. A. Nomoev, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, K. I. Kozlovskii, A. A. Chistyakov, E. D. Mishina, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, “The influence of the annealing regime on the properties of terahertz antennas based on low-temperature-grown gallium arsenide”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:2 (2018),  11–17  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 44–46 5
15. D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, I. S. Vasil'evskii, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “Mode loss spectra in THz quantum-cascade lasers with gold- and silver-based double metal waveguides”, Kvantovaya Elektronika, 48:11 (2018),  1005–1008  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:11 (2018), 1005–1008  isi  scopus] 20
2017
16. G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:6 (2017),  792–797  mathnet  elib; Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765
17. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:4 (2017),  529–534  mathnet  elib; Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 18
2016
18. S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, A. P. Savelyev, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Quantum Hall effect and hopping conductivity in $n$-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1669–1674  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1641–1646 2
19. V. P. Martovitskii, Yu. G. Sadof'ev, A. V. Klekovkin, V. V. Saraikin, I. S. Vasil'evskii, “Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1570–1575  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1548–1553
20. I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:4 (2016),  567–573  mathnet  elib; Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 8
2015
21. Yu. G. Sadof'ev, V. P. Martovitskii, A. V. Klekovkin, V. V. Saraikin, I. S. Vasil'evskii, “Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:12 (2015),  1612–1618  mathnet  elib; Semiconductors, 49:12 (2015), 1564–1570 4
22. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:9 (2015),  1243–1253  mathnet  elib; Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 5
23. Yu. D. Sibirmovsky, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, I. S. Eremin, D. M. Zhigunov, N. I. Kargin, O. S. Kolentsova, P. A. Martyuk, M. N. Strikhanov, “Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:5 (2015),  652–657  mathnet  elib; Semiconductors, 49:5 (2015), 638–643 26
24. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  241–248  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 12
25. Yu. G. Sadof'ev, V. P. Martovitskii, M. A. Bazalevsky, A. V. Klekovkin, D. V. Averyanov, I. S. Vasil'evskii, “Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:1 (2015),  128–133  mathnet  elib; Semiconductors, 49:1 (2015), 124–129 11
2014
26. I. A. Bolshakova, S. A. Kulikov, R. F. Konopleva, V. A. Chekanov, I. S. Vasil'evskii, F. M. Shurygin, E. Yu. Makido, I. Duran, A. P. Moroz, A. P. Shtabalyuk, “Application of reactor neutrons to the investigation of the radiation resistance of semiconductor materials of Group III–V and sensors”, Fizika Tverdogo Tela, 56:1 (2014),  156–159  mathnet  elib; Phys. Solid State, 56:1 (2014), 157–160 4
27. A. N. Vinichenko, V. P. Gladkov, N. I. Kargin, M. N. Strikhanov, I. S. Vasil'evskii, “Increase of the electron mobility in HEMT heterostructures with composite spacers containing AlAs nanolayers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:12 (2014),  1660–1665  mathnet  elib; Semiconductors, 48:12 (2014), 1619–1625 7
28. I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, M. M. Grekhov, V. P. Gladkov, N. I. Kargin, M. N. Strikhanov, “Technology and electronic properties of PHEMT AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs compositionally graded quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:9 (2014),  1258–1264  mathnet  elib; Semiconductors, 1226–1232 2
29. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:7 (2014),  909–916  mathnet  elib; Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 4
30. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev, “Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As HEMT nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:1 (2014),  67–72  mathnet  elib; Semiconductors, 48:1 (2014), 63–68 1
2013
31. R. A. Khabibullin, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, V. A. Kul'bachinskii, P. Yu. Bokov, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, P. P. Maltsev, “Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:9 (2013),  1215–1220  mathnet  elib; Semiconductors, 47:9 (2013), 1203–1208 8
32. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, R. M. Imamov, “Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:7 (2013),  990–996  mathnet  elib; Semiconductors, 47:7 (2013), 997–1002 8
33. V. A. Kul'bachinskii, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, “Persistent photoconductivity and electron mobility in In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP quantum-well structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:7 (2013),  927–934  mathnet  elib; Semiconductors, 47:7 (2013), 935–942 5
34. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, O. M. Zhigalina, E. A. Klimov, V. G. Zhigalina, R. M. Imamov, “Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:4 (2013),  510–515  mathnet  elib; Semiconductors, 47:4 (2013), 532–537 4
35. A. L. Shilenas, Yu. K. Pozhela, K. Požela, V. Juciené, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, E. A. Klimov, “Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:3 (2013),  348–352  mathnet  elib; Semiconductors, 47:3 (2013), 372–375 10
2012
36. D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, V. A. Kul'bachinskii, N. A. Yuzeeva, “Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:4 (2012),  500–506  mathnet  elib; Semiconductors, 46:4 (2012), 484–490 19

Organisations