Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Kraev, Stanislav Alekseevich

https://www.mathnet.ru/eng/person182959
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, M. A. Kalinnikov, S. A. Kraev, D. N. Lobanov, P. A. Yunin, “Schottky diodes based on monocrystalline Al/AlGaN/GaN heterostructures for zero-bias microwave detection”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 95:6 (2025),  1148–1156  mathnet  elib
2. M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, S. A. Kraev, A. I. Okhapkin, E. A. Arkhipova, P. A. Yunin, N. V. Vostokov, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, “CVD diamond structures with a $p$–$n$ junction – diodes and transistors”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 95:3 (2025),  540–548  mathnet  elib
3. M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, V. A. Kukushkin, S. A. Kraev, A. I. Okhapkin, E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, “Study of photo and electroluminescence of nitrogen-related color centers in a diamond $p$–$i$–$n$ diode”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 51:10 (2025),  48–51  mathnet  elib
4. M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, V. A. Kukushkin, S. A. Kraev, A. I. Okhapkin, E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, R. I. Khaibullin, “Electroluminescence of germanium-vacancy color centers in a diamond $p$–$i$–$n$ diode”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 51:8 (2025),  3–6  mathnet  elib
2024
5. E. A. Arkhipova, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, A. I. Okhapkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Non-annealed ohmic contacts with reduced resistance to $p$- and $n$-type epitaxial layers of diamond and their thermal stability”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:8 (2024),  409–414  mathnet  elib
6. A. I. Okhapkin, S. A. Korolev, S. A. Kraev, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, “Electrophysical properties of multilayer DLC films with different $sp^3$-phase contents”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 50:17 (2024),  30–33  mathnet  elib
7. A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, P. A. Yunin, S. A. Korolev, D. B. Radishev, N. Kumar, “Thermal annealing of multilayer films of diamond-like carbon with a variable content of $sp^3$-phase”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 50:13 (2024),  12–15  mathnet  elib
2023
8. A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, P. A. Yunin, S. A. Kraev, D. B. Radishev, “Plasma chemical deposition of hydrogenated DLC films with different hydrogen and $sp^3$-hybrid carbon content”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:5 (2023),  309–312  mathnet  elib
9. V. B. Shmagin, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, D. V. Yurasov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, E. E. Rodyakina, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, S. A. Kraev, P. A. Yunin, M. V. Shaleev, A. I. Belov, “Planar (lateral) light-emitting diodes with Ge(Si) nanoislands embedded in a photonic crystal”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 49:22 (2023),  12–15  mathnet  elib
10. A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, V. M. Daniltsev, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, M. V. Zorina, “Surface treatment of gallium arsenide after etching in C$_2$F$_5$Cl-plasma”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 49:19 (2023),  39–42  mathnet  elib
2022
11. A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, “Influence of chloropentafluoroethane inductively coupled plasma parameters on the rate and characteristics of gallium arsenide etching”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:7 (2022),  685–688  mathnet  elib
12. N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Effect of thermal annealing on the transport properties of Ti/AlGaN/GaN low-barrier Mott diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:7 (2022),  627–629  mathnet  elib
2021
13. A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, “Effect of the chloropentafluoroethane additive in chlorine-containing plasma on the etching rate and etching-profile characteristics of gallium arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  837–840  mathnet  elib; Semiconductors, 55:11 (2021), 865–868 1
14. A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, N. M. Ovechkin, O. A. Ivanov, D. B. Radishev, A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, A. Ya. Vul', A. T. Dideikin, S. A. Kraev, S. A. Korolev, “Study of undoped nanocrystalline diamond films grown by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:1 (2021),  49–58  mathnet  elib; Semiconductors, 55:1 (2021), 66–75 3
2020
15. Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, A. I. Okhapkin, V. M. Daniltsev, E. V. Skorokhodov, “Features of the vapor-phase epitaxy of GaAs on nonplanar substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  958–961  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1147–1149
16. A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, S. A. Korolev, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Formation of ohmic contacts to a diamond-like carbon layer deposited on a dielectric diamond substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  865–867  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058 2
17. P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  855–858  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050
18. M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:11 (2020),  34–38  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 2
2019
19. M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 89:12 (2019),  1923–1932  mathnet  elib; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 6
20. E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1386–1390  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 1
21. N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, S. A. Kraev, V. L. Kryukov, E. V. Skorokhodov, S. S. Strelchenko, V. I. Shashkin, “Vertical field-effect transistor with control $p$–$n$-junction based on GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1311–1314  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1279–1281
22. A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, E. V. Skorokhodov, P. A. Bushuikin, V. I. Shashkin, “Plasma-chemical deposition of diamond-like films onto the surface of heavily doped single-crystal diamond”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1229–1232  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206 3
23. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, M. A. Lobaev, “A new approach to tof-sims analysis of the phase composition of carbon-containing materials”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:2 (2019),  50–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 48–52 7
2018
24. A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. V. Skorokhodov, V. I. Shashkin, “Plasma chemical etching of gallium arsenide in C$_{2}$F$_{5}$Cl-based inductively coupled plasma”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1362–1365  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1473–1476 1
2017
25. A. I. Okhapkin, S. A. Korolev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Low-temperature deposition of SiN$_ x$ films in SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ inductively coupled plasma under high silane dilution with argon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1503–1506  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1449–1452 2
2016
26. V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1459–1462  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 3

Organisations