Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Pushkarev, Sergei Sergeevich
Head Scientist Researcher
Candidate of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person186760
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, P. M. Kovaleva, K. A. Kuznetsov, “THz emission from (100)- and (111)A-oriented multiple pseudomorphic quantum wells $\{\mathrm{InGaAs/InAlAs}\}$”, Optics and Spectroscopy, 133:3 (2025),  221–231  mathnet  elib
2. E. A. Klimov, A. N. Vinichenko, I. S. Vasil'evskii, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, I. D. Burlakov, “Temperature influence on the crystal structure of CdTe(111) films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(100) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:3 (2025),  141–149  mathnet
2024
3. An. A. Afonenko, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, S. S. Pushkarev, R. A. Khabibullin, “Analysis of TEM image of quantum cascade laser heterostructure grown by metalorganic vapour-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:4 (2024),  179–184  mathnet  elib
4. E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. M. Solyankin, A. S. Sinko, A. Yu. Pavlov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, “Generation of THz radiation by (100), (110), and (111)A-oriented multiple pseudomorphic InGaAs/GaAs quantum wells and photoconductive antennas”, Kvantovaya Elektronika, 54:1 (2024),  43–50  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 4 (2024), S316–S325] 1
2022
5. D. A. Belov, A. V. Ikonnikov, S. S. Pushkarev, R. R. Galiev, D. S. Ponomarev, D. R. Khokhlov, D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, R. A. Khabibullin, “Temperature degradation of 2.3, 3.2 and 4.1 THz quantum cascade lasers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:7 (2022),  705–710  mathnet  elib
6. T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. I. Danilov, D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, A. A. Zaitsev, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, R. R. Galiev, A. Yu. Pavlov, S. S. Pushkarev, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “3.8 THz quantum cascade laser grown by metalorganic vapor phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 48:10 (2022),  16–19  mathnet  elib
2020
7. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020),  877–884  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 1
8. G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1203–1210  mathnet  elib; Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 3
2019
9. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, V. B. Kopylov, S. S. Pushkarev, “Electrical and photoluminescence studies of $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ superlattices grown by MBE on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  258–266  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254 2
2018
10. S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, N. V. Zenchenko, “X-ray diffraction analysis of features of the crystal structure of GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N HEMT-heterostructures by the Williamson–Hall method”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:6 (2018),  586–590  mathnet  elib; Semiconductors, 52:6 (2018), 734–738 4
11. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  395–401  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 7
2017
12. G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:6 (2017),  792–797  mathnet  elib; Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765
13. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:4 (2017),  529–534  mathnet  elib; Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 18
14. G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  322–330  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 16
2016
15. I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:4 (2016),  567–573  mathnet  elib; Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 8
16. G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  195–203  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 8
2015
17. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:9 (2015),  1243–1253  mathnet  elib; Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 5
18. V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As structures on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:7 (2015),  942–950  mathnet  elib; Semiconductors, 49:7 (2015), 921–929 7
19. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  241–248  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 12
2014
20. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:7 (2014),  909–916  mathnet  elib; Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 4
21. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic heterostructures on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:5 (2014),  658–666  mathnet  elib; Semiconductors, 48:5 (2014), 640–648 9
22. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev, “Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As HEMT nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:1 (2014),  67–72  mathnet  elib; Semiconductors, 48:1 (2014), 63–68 1
2013
23. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, R. M. Imamov, “Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:7 (2013),  990–996  mathnet  elib; Semiconductors, 47:7 (2013), 997–1002 8
24. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, O. M. Zhigalina, E. A. Klimov, V. G. Zhigalina, R. M. Imamov, “Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:4 (2013),  510–515  mathnet  elib; Semiconductors, 47:4 (2013), 532–537 4
25. A. L. Shilenas, Yu. K. Pozhela, K. Požela, V. Juciené, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, E. A. Klimov, “Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:3 (2013),  348–352  mathnet  elib; Semiconductors, 47:3 (2013), 372–375 10

Organisations