Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Semakova, Antonina Aleksandrovna


https://www.mathnet.ru/eng/person183057
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2022
1. A. A. Semakova, M. S. Ruzhevich, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Stimulated emission in the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with asymmetric electronic confinement”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:9 (2022),  876–881  mathnet  elib; Semiconductors, 57:5 (2023), 263–267 1
2. N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. A. Semakova, G. G. Zegrya, “Comparative analysis of the efficiency of electroluminescence in type I and II heterostructures based on narrow-gap À$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ compounds”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:5 (2022),  479–485  mathnet  elib
2021
3. A. A. Semakova, A. M. Smirnov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. A. Pivovarova, A. V. Chernyaev, S. S. Kizhaev, N. D. Stoyanov, “Spectral and electrical properties of led heterostructures with InAs-based active layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  682–687  mathnet  elib
4. A. A. Semakova, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. V. Chernyaev, S. S. Kizhaev, N. D. Stoyanov, “Study of the current–voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in the 4.2–300 K temperature range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:6 (2021),  502–506  mathnet  elib; Semiconductors, 55:6 (2021), 557–561 1
5. A. A. Semakova, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Suppression of wavelength temperature dependence in heterostructures with staggered type II heterojunction InAsSb/InAsSbP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:3 (2021),  277–281  mathnet  elib; Semiconductors, 55:3 (2021), 354–358 2
2020
6. A. A. Semakova, S. N. Lipnitskaya, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, S. S. Kizhaev, A. V. Chernyaev, N. D. Stoyanov, H. Lipsanen, “Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an inas active region”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:3 (2020),  51–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 150–153 2
2019
7. N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. A. Semakova, G. G. Zegrya, “Carrier lifetime in semiconductors with band-gap widths close to the spin-orbit splitting energies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:4 (2019),  450–455  mathnet  elib; Semiconductors, 53:4 (2019), 428–433 2
2017
8. K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:2 (2017),  247–252  mathnet  elib; Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 5

Organisations