Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Vinichenko, Aleksandr Nikolaevich

Candidate of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person183450
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. A. A. Grekova, E. A. Klimov, A. N. Vinichenko, I. D. Burlakov, “Influence of tellurium and zinc stoichiometry on the ellipsometric spectra of ZnTe/GaAs (100)”, Optics and Spectroscopy, 133:3 (2025),  274–280  mathnet  elib
2. E. A. Klimov, A. N. Vinichenko, I. S. Vasil'evskii, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, I. D. Burlakov, “Temperature influence on the crystal structure of CdTe(111) films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(100) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:3 (2025),  141–149  mathnet
2021
3. R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, D. S. Ponomarev, R. R. Galiev, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. N. Klochkov, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “3.3 THz quantum cascade laser based on a three GaAs/AlGaAs quantum-well active module with an operating temperature above 120 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  989–994  mathnet  elib 1
2020
4. A. N. Klochkov, E. A. Klimov, P. M. Solyankin, M. R. Konnikova, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. P. Shkurinov, G. B. Galiev, “Thz radiation of photoconductive antennas based on $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ superlattice structures”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020),  1004–1011  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017 5
2019
5. A. N. Vinichenko, D. A. Safonov, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron-quantum transport in pseudomorphic and metamorphic In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As-based quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:3 (2019),  359–364  mathnet  elib; Semiconductors, 53:3 (2019), 339–344
2018
6. S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. V. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1447–1454  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1551–1558 6
7. I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, N. A. Khval'kovskiy, S. K. Paprotskiy, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  472  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 473–477 1
8. D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron transport in phemt AlGaAs/InGaAs/GaAs ÐÍÅÌÒ quantum wells at different temperatures: influence of one-side $\delta$-Si doping”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:2 (2018),  201–206  mathnet  elib; Semiconductors, 52:2 (2018), 189–194 11
9. D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Electron effective mass and momentum relaxation time in one-sided $\delta$-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with high electron density”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:24 (2018),  120–127  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1174–1176 2
10. D. A. Safonov, A. N. Vinichenko, N. I. Kargin, I. S. Vasil'evskii, “Peculiarities of silicon-donor ionization and electron scattering in pseudomorphous AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with heavy unilateral $\delta$-doping”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:4 (2018),  34–41  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 145–148 3
11. S. A. Nomoev, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, K. I. Kozlovskii, A. A. Chistyakov, E. D. Mishina, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, “The influence of the annealing regime on the properties of terahertz antennas based on low-temperature-grown gallium arsenide”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:2 (2018),  11–17  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 44–46 5
2017
12. G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:6 (2017),  792–797  mathnet  elib; Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765
2016
13. S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, A. P. Savelyev, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Quantum Hall effect and hopping conductivity in $n$-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1669–1674  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1641–1646 2
14. I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:4 (2016),  567–573  mathnet  elib; Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 8
2015
15. Yu. D. Sibirmovsky, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, I. S. Eremin, D. M. Zhigunov, N. I. Kargin, O. S. Kolentsova, P. A. Martyuk, M. N. Strikhanov, “Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:5 (2015),  652–657  mathnet  elib; Semiconductors, 49:5 (2015), 638–643 26
2014
16. A. N. Vinichenko, V. P. Gladkov, N. I. Kargin, M. N. Strikhanov, I. S. Vasil'evskii, “Increase of the electron mobility in HEMT heterostructures with composite spacers containing AlAs nanolayers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:12 (2014),  1660–1665  mathnet  elib; Semiconductors, 48:12 (2014), 1619–1625 7
17. I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, M. M. Grekhov, V. P. Gladkov, N. I. Kargin, M. N. Strikhanov, “Technology and electronic properties of PHEMT AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs compositionally graded quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:9 (2014),  1258–1264  mathnet  elib; Semiconductors, 1226–1232 2

Organisations