Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Galiev, Galib Barievich
Doctor of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person186758
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2020
1. A. N. Klochkov, E. A. Klimov, P. M. Solyankin, M. R. Konnikova, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. P. Shkurinov, G. B. Galiev, “Thz radiation of photoconductive antennas based on $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ superlattice structures”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020),  1004–1011  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017 5
2. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020),  877–884  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 1
3. G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1203–1210  mathnet  elib; Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 3
2019
4. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, V. B. Kopylov, S. S. Pushkarev, “Electrical and photoluminescence studies of $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ superlattices grown by MBE on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  258–266  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254 2
2018
5. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  395–401  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 7
2017
6. G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:6 (2017),  792–797  mathnet  elib; Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765
7. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:4 (2017),  529–534  mathnet  elib; Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 18
8. G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  322–330  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 16
2016
9. G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  195–203  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 8
2015
10. V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, “Electrical instability against thermal injection in multibarrier heterostructures: Theoretical model and experimental data”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 85:7 (2015),  83–86  mathnet  elib; Tech. Phys., 60:7 (2015), 1027–1030 1
11. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:9 (2015),  1243–1253  mathnet  elib; Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 5
12. L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, G. B. Galiev, I. P. Kazakov, A. V. Chervyakov, “Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:9 (2015),  1238–1242  mathnet  elib; Semiconductors, 49:9 (2015), 1202–1206 1
13. V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As structures on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:7 (2015),  942–950  mathnet  elib; Semiconductors, 49:7 (2015), 921–929 7
14. D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, “Investigation of the optical properties of GaAs with $\delta$-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:7 (2015),  932–935  mathnet  elib; Semiconductors, 49:7 (2015), 911–914 17
15. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  241–248  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 12
16. V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, P. P. Maltsev, “Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In$_x$Ga$_{1-x}$As quantum well with InAs inserts”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  204–213  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 199–208 14
2014
17. G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:7 (2014),  909–916  mathnet  elib; Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 4
18. G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic heterostructures on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:5 (2014),  658–666  mathnet  elib; Semiconductors, 48:5 (2014), 640–648 9
19. V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, S. S. Zhigaltsov, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, M. N. Yakupov, “Analytical model of the electrical instability mechanism in multibarrier heterostructures with tunnel-opaque barriers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:4 (2014),  481–486  mathnet  elib; Semiconductors, 48:4 (2014), 465–470 4
20. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev, “Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As HEMT nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:1 (2014),  67–72  mathnet  elib; Semiconductors, 48:1 (2014), 63–68 1
2013
21. R. A. Khabibullin, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, V. A. Kul'bachinskii, P. Yu. Bokov, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, P. P. Maltsev, “Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:9 (2013),  1215–1220  mathnet  elib; Semiconductors, 47:9 (2013), 1203–1208 8
22. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, R. M. Imamov, “Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:7 (2013),  990–996  mathnet  elib; Semiconductors, 47:7 (2013), 997–1002 8
23. V. A. Kul'bachinskii, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, “Persistent photoconductivity and electron mobility in In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP quantum-well structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:7 (2013),  927–934  mathnet  elib; Semiconductors, 47:7 (2013), 935–942 5
24. G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, O. M. Zhigalina, E. A. Klimov, V. G. Zhigalina, R. M. Imamov, “Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:4 (2013),  510–515  mathnet  elib; Semiconductors, 47:4 (2013), 532–537 4
25. A. L. Shilenas, Yu. K. Pozhela, K. Požela, V. Juciené, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, E. A. Klimov, “Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:3 (2013),  348–352  mathnet  elib; Semiconductors, 47:3 (2013), 372–375 10
2012
26. D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, V. A. Kul'bachinskii, N. A. Yuzeeva, “Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:4 (2012),  500–506  mathnet  elib; Semiconductors, 46:4 (2012), 484–490 19

Organisations