|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
П. А. Александров, Н. Е. Белова, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, “Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1124–1128   ; P. A. Aleksandrov, N. E. Belova, K. D. Demakov, S. G. Shemardov, “On the generation of charge-carrier recombination centers in the sapphire substrates of silicon-on-sapphire structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1099–1103 |
6
|
|
2013 |
| 2. |
П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов, “Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 264–266 ; P. A. Aleksandrov, K. D. Demakov, S. G. Shemardov, Yu. Yu. Kuznetsov, “Recrystallization of silicon-on-sapphire structures at various amorphization-ion-beam energies”, Semiconductors, 47:2 (2013), 298–300 |
4
|
|
1990 |
| 3. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин, К. Д. Демаков, Е. В. Котов, А. П. Новиков, С. Г. Шемардов, “Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1132–1133 |
| 4. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин, К. Д. Демаков, Е. В. Котов, С. Г. Шемардов, “Синтез аморфной пленки Si$_{3}$N$_{4}$ в процессе имплантации ионов
азота в кремний”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 43–45  |
|
1988 |
| 5. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, А. Е. Городецкий, К. Д. Демаков, О. Г. Кутукова, С. Г. Шемардов, “Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы
ионно-синтезированного SiC в Si”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 731–732 |
|
1987 |
| 6. |
Ю. А. Водаков, К. Д. Демаков, Е. В. Калинина, Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, Г. Ф. Холуянов, “Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния,
полученной ионным легированием алюминия”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1685–1689 |
| 7. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, А. С. Игнатьев, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, “Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si
методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 920–922 |
|
1986 |
| 8. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, С. Ю. Ширяев, “Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой
техники высокоинтенсивного ионного легирования”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 149–152 |
|
1985 |
| 9. |
Ю. М. Сулейманов, В. М. Грехов, К. Д. Демаков, И. В. Плюто, “Колебательная структура $D_{1}$-спектров в кубическом SiC”, Физика твердого тела, 27:10 (1985), 3170–3172 |
|
1984 |
| 10. |
Э. Е. Виолин, К. Д. Демаков, А. А. Кальнин, Ф. Нойберт, Е. Н. Потапов, Ю. М. Таиров, “Восстановление структуры слоев карбида кремния после ионной имплантации”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1575–1577 |
| 11. |
В. Г. Одинг, Ю. А. Водаков, Е. В. Калинина, Е. Н. Мохов, К. Д. Демаков, В. Г. Столярова, Г. Ф. Холуянов, “Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 700–703 |
|
1971 |
| 12. |
В. М. Гусев, Н. П. Бушаров, К. Д. Демаков, Ю. Г. Козлов, “Влияние каналирования на распределение электрически активных атомов бора и фосфора,
внедренных в монокристаллы кремния”, Докл. АН СССР, 197:2 (1971), 319–322 |
|
