|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Ю. А. Успенская, А. С. Гурин, М. В. Учаев, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Р. А. Бабунц, С. Я. Килин, “NV$^-$-центры в алмазе и карбиде кремния как основа мазеров, работающих при комнатной температуре”, Физика твердого тела, 67:9 (2025), 1647–1653  |
| 2. |
Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, “Высокотемпературная диффузия бериллия в AlN как направление решения проблемы легирования $p$-типа и снижения интенсивности оптического поглощения”, Физика твердого тела, 67:6 (2025), 940–945  |
| 3. |
Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, О. П. Казарова, С. И. Дорожкин, В. А. Солтамов, “Изотопически модифицированный карбид кремния: полупроводниковая платформа для квантовых технологий”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 114–120 |
| 4. |
О. Ф. Вывенко, О. А. Гогина, Ю. В. Петров, Е. В. Убыйвовк, Т. С. Аргунова, С. С. Нагалюк, “Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 306–309 |
|
2023 |
| 5. |
Д. А. Чернодубов, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. В. Инюшкин, “Воздействие синхротронного излучения на теплопроводность AlN”, Физика твердого тела, 65:10 (2023), 1848–1853 |
|
2022 |
| 6. |
Ф. Ф. Мурзаханов, И. Э. Мумджи, Г. В. Мамин, Р. В. Юсупов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, М. В. Музафарова, С. С. Нагалюк, В. А. Солтамов, “Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами”, Физика твердого тела, 64:8 (2022), 1033–1037 |
| 7. |
К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов, “Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 810–815 ; K. V. Likhachev, I. D. Breev, S. V. Kidalov, P. G. Baranov, S. S. Nagalyuk, A. V. Ankudinov, A. N. Anisimov, “6H-SiC nanoparticles integrated with an atomic force microscope for scanning quantum sensors”, JETP Letters, 116:11 (2022), 840–845 |
3
|
| 8. |
Е. Н. Мохов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, С. С. Нагалюк, “Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 1011–1015 |
| 9. |
A. N. Anisimov, I. D. Breev, K. V. Likhachev, O. P. Kazarova, S. S. Nagalyuk, P. G. Baranov, R. Hübner, G. V. Astakhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, M. P. Scheglov, E. N. Mokhov, “The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 527 |
| 10. |
О. П. Казарова, С. С. Нагалюк, В. А. Солтамов, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, “Высокотемпературная диффузия акцепторной примеси Ве в AlN”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 275–278 |
|
2021 |
| 11. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278   |
3
|
| 12. |
С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев, “Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 513–517 ; S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, B. Ya. Ber, A. A. Anisimov, I. D. Breev, “Origin of green coloration in AlN crystals grown on SiC seeds”, Semiconductors, 55:6 (2021), 546–550 |
1
|
|
2020 |
| 13. |
Е. Н. Мохов, М. К. Рабчинский, С. С. Нагалюк, М. Р. Гафуров, О. П. Казарова, “Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 224–227 ; E. N. Mokhov, M. K. Rabchinskii, S. S. Nagalyuk, M. R. Gafurov, O. P. Kazarova, “Effect of the beryllium acceptor impurity upon the optical properties of single-crystal AlN”, Semiconductors, 54:3 (2020), 278–281 |
9
|
|
2019 |
| 14. |
А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848 ; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794 |
16
|
|
2017 |
| 15. |
Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, С. С. Нагалюк, “Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1104–1106 ; E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, V. A. Soltamov, S. S. Nagalyuk, “Influence of neutron irradiation on etching of SiC in KOH”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1119–1121 |
|
2016 |
| 16. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Н. К. Полетаев, А. П. Скворцов, “Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 91–96 ; Yu. V. Zhilyaev, V. V. Zelenin, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, N. K. Poletaev, A. P. Skvortsov, “Absorption spectra of bulk aluminum nitride crystals doped with Er$^{3+}$ ions”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 156–159 |
1
|
|
