|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. К. Морозова, И. Н. Мирошникова, В. Г. Галстян, “Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 793–798   ; N. K. Morozova, I. N. Miroshnikova, V. G. Galstyan, “Analysis of the optical properties of plastically deformed ZnS(O) using band-anticrossing theory”, Semiconductors, 53:6 (2019), 784–788 |
5
|
|
2015 |
| 2. |
Н. К. Морозова, В. Г. Галстян, А. О. Волков, В. Е. Мащенко, “Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1169–1174 ; N. K. Morozova, V. G. Galstyan, A. O. Volkov, V. E. Mashchenko, “Optical properties of ion-doped ZnO(Se) layers in the context of band anticrossing theory”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1134–1139 |
1
|
|
2013 |
| 3. |
Н. К. Морозова, А. А. Канахин, И. Н. Мирошникова, В. Г. Галстян, “Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1014–1021 ; N. K. Morozova, A. A. Kanakhin, I. N. Miroshnikova, V. G. Galstyan, “Optical properties of oxygen-implanted CdS:O layers in terms of band anticrossing theory”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1018–1025 |
8
|
|
1987 |
| 4. |
В. Р. Регель, В. А. Никитенко, И. П. Кузьмина, В. Г. Галстян, Т. П. Долуханян, С. Ф. Никульшин, Н. Л. Сизова, В. А. Скуратов, “Влияние бомбардировки тяжелыми ионами высоких энергий
на оптические свойства и дефекты в монокристаллах окиси цинка”, ЖТФ, 57:2 (1987), 306–310  |
|
1980 |
| 5. |
М. Ш. Акчурин, В. Г. Галстян, “Исследование упрочнения приповерхностных слоев алюмо-иттриевого граната методом микрокатодолюминесценции”, Докл. АН СССР, 252:4 (1980), 870–872 |
|
