|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1141–1151   ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130 |
| 2. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 70–76 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71 |
| 3. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке, “Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 545–551 [P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551   ] |
2
|
|
2018 |
| 4. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1553–1562 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 |
2
|
| 5. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 118–124 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130 |
|
2016 |
| 7. |
П. В. Середин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 869–876 ; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 853–859 |
2
|
|
2014 |
| 8. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Глотов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1123–1131 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Glotov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Structural and optical properties of heavily doped Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1094–1102 |
10
|
| 9. |
П. В. Середин, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 23–31 ; P. V. Seredin, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$ alloys”, Semiconductors, 48:1 (2014), 21–29 |
26
|
|
