Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец, Т. В. Семикина, Н. В. Ярошенко, “Поверхностно-барьерные фотопреобразователи с варизонными слоями в области пространственного заряда”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 529–533; Yu. N. Bobrenko, S. Yu. Pavelets, A. M. Pavelets, T. V. Semikina, N. V. Yaroshenko, “Surface-barrier photoconverters with graded-gap layers in the space-charge region”, Semiconductors, 49:4 (2015), 519–523
Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец, Н. В. Ярошенко, “Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1381–1384; Yu. N. Bobrenko, S. Yu. Pavelets, A. M. Pavelets, N. V. Yaroshenko, “Photoelectric converters with graded-gap layers based on ZnSe”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1372–1375
С. Ю. Павелец, Т. М. Сванидзе, В. П. Тарасенко, “Тонкопленочные поликристаллические фотопреобразователи с МДП и ПДП
структурами на основе теллурида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2058–2060
4.
К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, С. Ю. Павелец, В. П. Тарасенко, “Тонкопленочные поликристаллические солнечные преобразователи
с промежуточным сверхтонким варизонным слоем”, Письма в ЖТФ, 16:16 (1990), 48–51
1986
5.
С. Ю. Павелец, Т. М. Сванидзе, В. П. Тарасенко, “Особенности фотопреобразователей на основе трехслойных
полупроводниковых гетероструктур”, ЖТФ, 56:4 (1986), 805–807
1983
6.
С. Ю. Павелец, Т. М. Сванидзе, В. П. Тарасенко, “Обратный ток гетеропереходов вырожденный
полупроводник–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1330–1332
