|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. В. Аладов, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. А. Онущенко, А. Е. Черняков, М. З. Шварц, “Фотолюминесценция квантовых точек PbS в матрице неорганического стекла при возбуждении светодиодами: спектры и квантовый выход”, Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025), 1068–1070  |
| 2. |
Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. Е. Черняков, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, Л. А. Алексанян, А. Я. Поляков, “Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 397–401 |
|
2024 |
| 3. |
А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков, Л. А. Алексанян, А. Я. Поляков, “Ближнее поле излучения и эффект неоднородности распределения плотности тока в AlInGaN микросветодиодах”, Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024), 1236–1239  |
|
2023 |
| 4. |
А. Л. Закгейм, А. А. Климов, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, А. Е. Черняков, “Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023), 1502–1504 |
| 5. |
А. Л. Закгейм, С. А. Карандашев, А. А. Климов, Р. Э. Кунков, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 42–52 |
| 6. |
А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков, “Электротермооптические характеристики и предельные энергетические возможности мощных AlGaN-светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона ($\lambda\approx$ 270 nm)”, Письма в ЖТФ, 49:9 (2023), 17–20 |
|
2022 |
| 7. |
А. Л. Закгейм, А. В. Аладов, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, “Предельные энергетические возможности мощных AlInGaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 48:13 (2022), 33–36 |
|
2021 |
| 8. |
А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков, “Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 32–35 ; A. L. Zakhgeim, A. E. Ivanov, A. E. Chernyakov, “Features of operation of high-power AlInGaN LEDs at high pulse currents”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 834–837 |
4
|
|
2020 |
| 9. |
Н. М. Шмидт, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, “Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 45–48 ; N. M. Shmidt, E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. E. Ivanov, N. А. Talnishnikh, A. L. Zakhgeim, “Temperature-dependent decrease in efficiency in power blue InGaN/GaN LEDs”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1253–1256 |
4
|
|
2017 |
| 10. |
А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275 ; A. L. Zakhgeim, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov, “Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266 |
13
|
|
2012 |
| 11. |
Н. Д. Ильинская, А. Л. Закгейм, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, А. Е. Черняков, “Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 708–713 ; N. D. Il'inskaya, A. L. Zakhgeim, S. A. Karandashov, B. A. Matveev, V. I. Ratushnyi, M. A. Remennyi, A. Yu. Rybalchenko, N. M. Stus, A. E. Chernyakov, “Front surface illuminated InAsSb photodiodes (long-wavelength cutoff $\lambda_{0.1}$ = 4.5 $\mu$m) operating at temperatures of 25–80$^\circ$C”, Semiconductors, 46:5 (2012), 690–695 |
4
|
| 12. |
А. Л. Закгейм, М. Е. Левинштейн, В. П. Петров, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 219–223 ; A. L. Zakhgeim, M. E. Levinshteǐn, V. P. Petrov, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Low-frequency noise in as-fabricated and degraded blue InGaAs/GaN LEDs”, Semiconductors, 46:2 (2012), 208–212 |
12
|
|
1986 |
| 13. |
А. А. Мак, В. И. Устюгов, М. М. Xалеев, А. Л. Закгейм, В. М. Марахонов, “Амплитудные флуктуации непрерывного АИГ: $Nd$-лазера со светодиодной накачкой”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1258–1263  |
|
