|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, Х. С. Турекеев, Н. Норкулов, С. А. Тачилин, “Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний”, Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1648–1655   |
| 2. |
Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, С. Б. Исамов, Б. А. Абдурахманов, Г. А. Кушиев, “Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge$_x$Si$_{1-x}$, полученных диффузионной технологией”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 495–497 |
2
|
| 3. |
К. А. Исмайлов, Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, Е. Ж. Косбергенов, “Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022), 438–440 |
1
|
| 4. |
М. К. Бахадирханов, Н. Ф. Зикриллаев, С. Б. Исамов, Х. С. Турекеев, С. А. Валиев, “Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 199–203 |
1
|
|
2021 |
| 5. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев, М. О. Турсунов, “Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 489–492 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, N. F. Zikrillaev, M. O. Tursunov, “Anomalous photoelectric phenomena in silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Semiconductors, 55:6 (2021), 542–545 |
10
|
| 6. |
М. К. Бахадырханов, Ш. Н. Ибодуллаев, Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, “Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 12–15 ; M. K. Bakhadyrkhanov, Sh. N. Ibodullaev, N. F. Zikrillaev, S. V. Koveshnikov, “An infrared radiation photoresistor based on silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 641–644 |
2
|
|
1992 |
| 7. |
М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, Э. У. Арзикулов, “Низкочастотные колебания тока в компенсированном цинком кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1536–1539 |
|
1991 |
| 8. |
М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, Э. У. Арзикулов, “Влияние упругости паров диффузанта на концентрацию электроактивных
атомов и степень компенсации образцов Si$\langle\text{Zn}\rangle$”, Письма в ЖТФ, 17:12 (1991), 1–4  |
|
1987 |
| 9. |
Л. Л. Голик, М. М. Гутман, В. Е. Паксеев, М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, А. А. Турсунов, “Динамический хаос и гистерезис автоколебаний
в Si$\langle$Mn$\rangle$, обусловленные температурно-электрической
неустойчивостью”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1400–1403 |
|
1986 |
| 10. |
М. К. Бахадырханов, А. А. Турсунов, Ш. И. Аскаров, Н. Ф. Зикриллаев, А. Абдураимов, Х. М. Илиев, “Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЭН
в кремнии, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1561–1564 |
| 11. |
М. К. Бахадырханов, Ш. И. Аскаров, Н. Ф. Зикриллаев, “Влияние магнитного поля на температурно-электрическую неустойчивость
в кремнии, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 423–426 |
|
1984 |
| 12. |
М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, “Низкочастотные колебания тока с большой амплитудой в компенсированном
марганцем кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2220–2222 |
|
