|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, В. В. Евстропов, М. В. Лебедев, В. П. Улин, В. М. Лантратов, В. М. Андреев, “Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок”, ЖТФ, 84:6 (2014), 92–97   ; N. M. Lebedeva, A. A. Usikova, V. V. Evstropov, M. V. Lebedev, V. P. Ulin, V. M. Lantratov, V. M. Andreev, “Dark current-voltage characteristic of triple-junction solar cells: Their relation with the efficiency and the influence of passivating treatments”, Tech. Phys., 59:6 (2014), 879–883 |
1
|
| 2. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, Р. А. Салий, В. М. Лантратов, “Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 671–676 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, R. A. Salii, V. M. Lantratov, “Subtractive method for obtaining the dark current-voltage characteristic and its types for the residual (nongenerating) part of a multi-junction solar cell”, Semiconductors, 48:5 (2014), 653–658 |
2
|
|
2013 |
| 3. |
А. С. Власов, В. П. Хвостиков, Л. Б. Карлина, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Е. П. Марухина, В. М. Андреев, “Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)”, ЖТФ, 83:7 (2013), 106–110 ; A. S. Vlasov, V. P. Khvostikov, L. B. Karlina, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, E. P. Marukhina, V. M. Andreev, “Spectral-splitting concentrator photovoltaic modules based on AlGaAs/GaAs/GaSb and GaInP/InGaAs(P) solar cells”, Tech. Phys., 58:7 (2013), 1034–1038 |
9
|
| 4. |
П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, Н. Ю. Гордеев, В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1181–1184 ; P. N. Brunkov, V. V. Goncharov, M. È. Rudinskii, A. A. Gutkin, N. Yu. Gordeev, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, R. V. Sokolov, S. G. Konnikov, “Local triboelectrification of an $n$-GaAs surface using the tip of an atomic-force microscope”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1170–1173 |
8
|
| 5. |
B. Lanz, S. N. Vainshtein, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, J. T. Kostamovaara, “Picosecond internal $Q$-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 383–385 ; Semiconductors, 47:3 (2013), 406–408 |
|
2012 |
| 6. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Лантратов, “Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1074–1081 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, V. M. Lantratov, “Photoelectric determination of the series resistance of multijunction solar cells”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1051–1058 |
12
|
| 7. |
С. А. Блохин, А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, В. М. Емельянов, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц, М. В. Максимов, В. М. Лантратов, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 38:22 (2012), 43–49 ; S. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Emelyanov, V. N. Nevedomskiy, M. Z. Shvarts, M. V. Maksimov, V. M. Lantratov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “Influence of the position of InGaAs quantum dot array on the spectral characteristics of AlGaAs/GaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 38:11 (2012), 1024–1026 |
2
|
|
1991 |
| 8. |
Д. А. Винокуров, В. М. Лантратов, М. А. Синицын, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, О. М. Федорова, Я. Л. Шайович, Б. С. Явич, “Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs,
выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС
гидридном процессе”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1022–1029 |
|
1990 |
| 9. |
В. М. Андреев, А. М. Васильев, Н. С. Зимогорова, В. М. Лантратов, В. И. Мырзин, “Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1194–1199 |
|
1987 |
| 10. |
В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Н. Б. Джелепова, В. С. Калиновский, В. М. Лантратов, “Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах”, Письма в ЖТФ, 13:24 (1987), 1481–1485  |
| 11. |
В. И. Гладущак, С. Ю. Карпов, В. И. Кучинский, В. М. Лантратов, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. Б. Смирницкий, О. В. Смольский, “Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия”, Письма в ЖТФ, 13:15 (1987), 913–918 |
|
1986 |
| 12. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, С. И. Трошков, “Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной
зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1262–1270 |
| 13. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, А. М. Койнова, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, “Высокоэффективные информационно-энергетические
AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 435–439 |
|
1985 |
| 14. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, А. М. Аллахвердиев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Поведение AlGaAs гетерофотоэлементов при низких уровнях освещения
(10$^{-1}$–10$^{-3}$ Вт/см$^{2}$) в диапазоне температур
173–373 K”, ЖТФ, 55:10 (1985), 2004–2009 |
| 15. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, Т. В. Львова, С. И. Трошков, “Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных
$p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1589–1596 |
| 16. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, С. И. Трошков, “Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 276–281 |
|
1983 |
| 17. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, С. И. Трошков, “Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$
перехода”, ЖТФ, 53:8 (1983), 1658–1660 |
| 18. |
Д. З. Гарбузов, В. Г. Агафонов, В. В. Агаев, В. М. Лантратов, А. В. Чудинов, “Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при
фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2168–2172 |
|
