Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Андреев Игорь Анатольевич
кандидат физико-математических наук (1993)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Андреев, Игорь Анатольевич. Исследование процессов ударной ионизации и лавинного умножения в узкозонных твёрдых растворах $А^3 В^5$ на основе $GaSb$ и $InAs$ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1993. - 142 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person161441
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=32241

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37  mathnet  elib
2022
2. Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, Я. Я. Понуровский, А. И. Надеждинский, А. С. Кузьмичев, Д. Б. Ставровский, М. В. Спиридонов, “Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515  mathnet  elib 1
2021
3. М. П. Михайлова, А. П. Дмитриев, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010  mathnet  elib
4. Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613  mathnet; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 1
2020
5. Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683  mathnet  elib; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802
2019
6. М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 1
2018
7. Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099  mathnet  elib; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 5
8. М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 1
2017
9. М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318  mathnet  elib; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 3
10. Л. В. Данилов, М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Зегря, “Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1196–1201  mathnet  elib; L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Zegrya, “Effect of electrostatic shielding on the photoelectric properties of heterostructures with deep QWs”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1148–1152 3
2016
11. Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1420–1424  mathnet  elib; E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 3
2015
12. И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. А. Пивоварова, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726  mathnet  elib; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1671–1677 5
13. Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006  mathnet  elib; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, V. V. Parashchuk, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide”, Semiconductors, 49:7 (2015), 980–983 7
2013
14. И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, Н. Д. Ильинская, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115  mathnet  elib; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, G. S. Sokolovskii, V. V. Dyudelev, N. D. Il'inskaya, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “High-speed photodiodes for the mid-infrared spectral region 1.2–2.4 $\mu$m based on GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures with a transmission band of 2–5 GHz”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1103–1109 17
15. М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Г. Г. Коновалов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, È. V. Ivanov, G. G. Konovalov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Photoelectric and luminescence properties of GaSb-Based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1041–1045 2
16. А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695  mathnet  elib; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Improvement in the quantum sensitivity of InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure photodiodes”, Semiconductors, 47:5 (2013), 701–706 2
2012
17. Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with quantum efficiency increased by changing directions of reflected light fluxes”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 470–473 3
2011
18. В. В. Шерстнев, Д. Старостенко, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17  mathnet  elib; V. V. Sherstnev, D. Starostenko, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP heterostructures for 2.5–4.9 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 37:1 (2011), 5–7
1992
19. И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. В. Пенцов, Ю. П. Сморчкова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb для спектрального диапазона 3$-$5 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  50–53  mathnet  isi
1991
20. И. А. Андреев, М. П. Михайлова, С. В. Мельников, Ю. П. Сморчкова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1429–1436  mathnet
1990
21. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, И. Н. Тимченко, В. Е. Шестнев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2$-$3.5 мкм”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  27–32  mathnet  isi
1989
22. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, Н. Н. Марьинская, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения и умножения для области спектра 1.6$-$2.4 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  71–76  mathnet  isi
23. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19  mathnet  isi
1988
24. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения и умножения на основе GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  986–991  mathnet  isi
25. И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393  mathnet  isi
1987
26. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  481–485  mathnet  isi
1986
27. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, В. Г. Данильченко, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1311–1315  mathnet  isi
1985
28. И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611  mathnet
1984
29. И. А. Андреев, М. П. Михайлова, А. Н. Семенов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. М. Филаретова, “Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных твердых растворах на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  545–547  mathnet
30. И. А. Андреев, М. Ф. Дубовик, “Новый пьезоэлектрик « лангасит» La$_{3}$Ga$_{5}$SiO$_{14}$ — материал с нулевым температурным коэффициентом частоты упругих колебаний”, Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  487–491  mathnet  isi 2
1983
31. И. А. Андреев, Ю. С. Кузьминов, Н. М. Полозков, “Слабая температурная зависимость упругих податливостей s$_{11}$ и s$_{44}$ кристалла Ba$_{0.39}$Sr$_{0.61}$Nb$_{2}$O$_{6}$ вблизи 20$^{\circ}$C”, ЖТФ, 53:8 (1983),  1632–1635  mathnet  isi
2018
32. L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya, “Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 493–496 1

Организации