Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Мнацаканов Тигран Тигранович
доктор физико-математических наук (1988)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Мнацаканов, Тигран Тигранович. Аналог эффекта Джозефсона в неравновесных системах с электрон-дырочным спариванием : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02. - Москва, 1973. - 91 с.

Мнацаканов, Тигран Тигранович. Процессы переноса в электронно-дырочной плазме высокой плотности и моделирование мощных кремниевых многослойных структур большой площади : дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Москва, 1988. - 345 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person161500
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=22558
https://www.researchgate.net/profile/Tigran-Mnatsakanov

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, “Вольт-амперная характеристика мощных диодных структур с резкой асимметрией инжектирующей способности эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  524–532  mathnet  elib; A. G. Tandoev, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, “Current–voltage characteristics of power diode structures with strong asymmetry of emitters injection ability”, Semiconductors, 55 (2021), s22–s29
2. А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, “Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  75–82  mathnet  elib; A. G. Tandoev, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, “High-power Schottky diodes with a negative-differential-resistance portion in the I–V characteristic”, Semiconductors, 55:1 (2021), 92–99 2
2020
3. А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, “$S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  470–477  mathnet  elib; A. G. Tandoev, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, “S-shaped I – V characteristics of high-power Schottky diodes at high current densities”, Semiconductors, 54:5 (2020), 567–574 2
4. С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  69–73  mathnet  elib; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, “Multidimensional $dU/dt$ effect in high-power thyristors”, Semiconductors, 54:1 (2020), 112–116
2018
5. С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC”, ЖТФ, 88:10 (2018),  1544–1550  mathnet  elib; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, “Theoretical analysis of the effect of $dU/dt$ in 4H–SiC thyristor structures”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1497–1503 1
2017
6. Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1081–1086 1
7. Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  830–834  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, V. B. Shuman, B. M. Seredin, “On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects”, Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802 2
8. С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, J. W. Palmour, “Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239  mathnet  elib; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, A. G. Tandoev, J. W. Palmour, “Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4$H$-SiC thyristors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 225–231
2016
9. М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, А. Г. Тандоев, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414  mathnet  elib; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, A. G. Tandoev, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “High-voltage silicon-carbide thyristor with an $n$-type blocking base”, Semiconductors, 50:3 (2016), 404–410 7
2013
10. Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  302–309  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Violation of neutrality and occurrence of $S$-shaped current-voltage characteristic for doped semiconductors under double injection”, Semiconductors, 47:3 (2013), 327–334 1
2012
11. М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1224–1229  mathnet  elib; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Overheating of an optically triggered SiC thyristor during switch-on and turn-on spread”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1201–1206 3
1990
12. Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1668–1670  mathnet
1989
13. Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках $n$- и $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1658–1663  mathnet
1986
14. Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов, “О влиянии эффекта полного увлечения неосновных носителей заряда основными на свойства многослойных полупроводниковых структур”, ЖТФ, 56:9 (1986),  1827–1829  mathnet  isi
15. А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  532–534  mathnet
1984
16. Т. Т. Мнацаканов, И. Л. Ростовцев, Н. И. Филатов, “О соотношении Эйнштейна в полупроводниках в условиях сильного электронно-дырочного рассеяния”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1293–1296  mathnet
1983
17. Т. Т. Мнацаканов, “Переходный процесс переключения диффузионного $p{-}n$ перехода”, ЖТФ, 53:1 (1983),  189–191  mathnet  isi
18. А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  474–478  mathnet

Организации