|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, П. В. Минаков, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, А. Н. Демидова, Д. А. Корляков, “Каскадный матричный усилитель электронного потока на основе умножителя-концентратора электронов”, Письма в ЖТФ, 49:7 (2023), 43–46   |
|
2022 |
| 2. |
П. А. Золотухин, Э. А. Ильичев, Г. Н. Петрухин, А. В. Попов, Г. С. Рычков, Е. Г. Теверовская, “Расчет и оптимизация предельных характеристик одноканального двухспектрального приемника изображений объектов, излучающих в ультрафиолетовом диапазоне”, ЖТФ, 92:9 (2022), 1449–1459 |
| 3. |
А. C. Гревцев, П. А. Золотухин, Э. А. Ильичев, Г. Н. Петрухин, А. В. Попов, Г. С. Рычков, “Исследование процессов считывания изображений тепловых объектов приемником, выполненным в архитектуре электронно-оптического преобразователя”, ЖТФ, 92:5 (2022), 649–659 |
| 4. |
А. C. Гревцев, П. А. Золотухин, Э. А. Ильичев, Г. Н. Петрухин, А. В. Попов, Г. С. Рычков, “Расчетная модель приемника тепловых изображений в архитектуре электронно-оптического преобразователя”, ЖТФ, 92:4 (2022), 507–519 |
2
|
|
2021 |
| 5. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Г. Н. Петрухин, П. В. Минаков, Г. С. Рычков, В. В. Сень, Е. Г. Теверовская, “Алмазные фотокатоды как полевые катоды для вакуумной микроэлектроники”, Письма в ЖТФ, 47:10 (2021), 3–6 ; E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, G. N. Petrukhin, P. V. Minakov, G. S. Rychkov, V. V. Sen, E. G. Teverovskaya, “Diamond photocathodes as field-emission electrodes for vacuum microelectronics”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 503–506 |
1
|
| 6. |
В. А. Беспалов, Э. А. Ильичёв, И. П. Казаков, Г. А. Кирпиленко, А. И. Козлитин, П. В. Минаков, В. В. Сарайкин, А. В. Клековкин, С. В. Куклев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Д. С. Соколов, Е. Г. Теверовская, “Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 3–6 ; V. A. Bespalov, E. A. Il'ichev, I. P. Kazakov, G. A. Kirpilenko, A. I. Kozlitin, P. V. Minakov, V. V. Saraikin, A. V. Klekovkin, S. V. Kuklev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, D. S. Sokolov, E. G. Teverovskaya, “Characteristics of solar-blind electron-optical converters with diamond photocathodes”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 432–435 |
1
|
|
2018 |
| 7. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Д. М. Мигунов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Е. Г. Теверовская, В. О. Хаустов, “Исследование электронной прозрачности графена для малых энергий электрона”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 94–102 ; E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, D. M. Migunov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, E. G. Teverovskaya, V. O. Khaustov, “Studying the transparency of graphene for low-energy electrons”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 848–851 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Е. Г. Теверовская, “Фотоэмиссионная ячейка матричного приемника вакуумного ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 48–55 ; E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, E. G. Teverovskaya, “The photoemissive cell of a vacuum ultraviolet radiation detector array”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 345–347 |
5
|
|
2015 |
| 9. |
В. А. Гергель, И. В. Алтухов, А. В. Верховцева, Г. Б. Галиев, Н. М. Горшкова, А. П. Зеленый, Э. А. Ильичев, В. С. Минкин, С. К. Папроцкий, “Термоинжекционная электрическая неустойчивость в мультибарьерных гетероструктурах. Теоретическая модель и экспериментальные результаты”, ЖТФ, 85:7 (2015), 83–86 ; V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, “Electrical instability against thermal injection in multibarrier heterostructures: Theoretical model and experimental data”, Tech. Phys., 60:7 (2015), 1027–1030 |
1
|
| 10. |
В. А. Беспалов, В. М. Глазов, Э. А. Ильичев, Ю. А. Климов, С. В. Куклев, А. Е. Кулешов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Б. Г. Потапов, Г. С. Рычков, Д. С. Соколов, В. В. Фандеев, Е. А. Фетисов, С. С. Якушов, “Разработка и исследование приемников изображений ультрафиолетового диапазона”, ЖТФ, 85:4 (2015), 74–82 ; V. A. Bespalov, V. M. Glazov, E. A. Il'ichev, Yu. A. Klimov, S. V. Kuklev, A. E. Kuleshov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, B. G. Potapov, G. S. Rychkov, D. S. Sokolov, V. V. Fandeev, E. A. Fetisov, S. S. Yakushov, “Design and investigation of UV image detectors”, Tech. Phys., 60:4 (2015), 553–560 |
3
|
|
2014 |
| 11. |
В. А. Беспалов, Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Д. М. Мигунов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, О. А. Сахаров, Ю. B. Щербахин, “Автоэмиссионные диоды на основе гетеропереходов полупроводник–поликристаллический алмаз”, ЖТФ, 84:10 (2014), 112–116 ; V. A. Bespalov, E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, D. M. Migunov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, O. A. Sakharov, Yu. V. Shcherbakhin, “Field-emission diodes based on semiconductor–polycrystalline diamond heterojunctions”, Tech. Phys., 59:10 (2014), 1531–1535 |
1
|
| 12. |
Э. А. Ильичев, Е. П. Кириленко, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, О. А. Сахаров, З. М. Хамдохов, Э. З. Хамдохов, Е. С. Чернявская, М. Л. Шупегин, А. А. Щекин, “Способ формирования графеновых пленок”, ЖТФ, 84:7 (2014), 62–66 ; E. A. Il'ichev, E. P. Kirilenko, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, O. A. Sakharov, Z. M. Khamdokhov, E. Z. Khamdolhov, E. S. Chernyavskaya, M. L. Shupegin, A. A. Shchekin, “Method for the formation of graphene films”, Tech. Phys., 59:7 (2014), 1007–1011 |
1
|
| 13. |
В. А. Гергель, И. В. Алтухов, А. В. Верховцева, Г. Б. Галиев, Н. М. Горшкова, С. С. Жигальцов, А. П. Зеленый, Э. А. Ильичев, В. С. Минкин, С. К. Папроцкий, М. Н. Якупов, “Аналитическая модель механизма электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах с туннельно-непрозрачными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 481–486 ; V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, S. S. Zhigaltsov, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, M. N. Yakupov, “Analytical model of the electrical instability mechanism in multibarrier heterostructures with tunnel-opaque barriers”, Semiconductors, 48:4 (2014), 465–470 |
4
|
| 14. |
Э. А. Ильичев, Е. П. Кириленко, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, О. А. Сахаров, Э. З. Хамдохов, Е. С. Чернявская, М. Л. Шупегин, А. А. Щекин, “Особенности формирования графеновых слоев из аморфных углеродных и кремний-углеродных пленок”, Письма в ЖТФ, 40:2 (2014), 10–15 ; E. A. Il'ichev, E. P. Kirilenko, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, O. A. Sakharov, E. Z. Khamdolhov, E. S. Chernyavskaya, M. L. Shupegin, A. A. Shchekin, “Peculiarities of graphene layer formation from amorphous carbon and silicon-carbon films”, Tech. Phys. Lett., 40:1 (2014), 52–54 |
4
|
|
2013 |
| 15. |
Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, О. А. Сахаров, Е. С. Чернявская, “Использование графена в вакуумной микро- и наноэлектронике”, Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 25–31 ; E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, O. A. Sakharov, E. S. Chernyavskaya, “The use of graphene in vacuum micro- and nanoelectronics”, Tech. Phys. Lett., 39:9 (2013), 808–810 |
5
|
| 16. |
В. А. Беспалов, Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Д. М. Мигунов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Ю. B. Щербахин, “Твердотельный автоэмиссионный диод”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013), 46–52 ; V. A. Bespalov, E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, D. M. Migunov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, Yu. V. Shcherbakhin, “Solid-state field-emission diode”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 206–208 |
4
|
|
2012 |
| 17. |
М. Э. Белоусов, Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Н. К. Матвеева, П. В. Минаков, Г. Н. Петрухин, Р. М. Набиев, Г. С. Рычков, “Усилитель электронного потока на кремниевых решетках, покрытых алмазной пленкой”, Письма в ЖТФ, 38:6 (2012), 45–51 ; M. E. Belousov, E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, N. K. Matveeva, P. V. Minakov, G. N. Petrukhin, R. M. Nabiev, G. S. Rychkov, “Electron flux amplifier on diamond-coated silicon grating”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 276–278 |
| 18. |
М. Э. Белоусов, Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Н. К. Матвеева, П. В. Минаков, Г. Н. Петрухин, Р. М. Набиев, Г. С. Рычков, “Маска для формирования микрорисунка на алмазной пленке”, Письма в ЖТФ, 38:5 (2012), 49–55 ; M. E. Belousov, E. A. Il'ichev, A. E. Kuleshov, N. K. Matveeva, P. V. Minakov, G. N. Petrukhin, R. M. Nabiev, G. S. Rychkov, “Mask for micropattern formation on diamond films”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 225–227 |
4
|
|
1992 |
| 19. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, К. С. Щамхалов, “Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 794–800 |
|
1991 |
| 20. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко, “Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе
$\delta$-легированных структур”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1870–1876 |
| 21. |
В. А. Гергель, А. И. Лукьянченко, А. Н. Соляков, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, “Температурная зависимость эффекта управления транзистором через
полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1667–1670 |
| 22. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко, “Влияние свойств барьера Шоттки на частотную дисперсию крутизны
полевого транзистора с барьером Шоттки”, Письма в ЖТФ, 17:14 (1991), 78–80  |
| 23. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, К. С. Шамхалов, “О механизмах паразитного управления по подложке в GaAs ПТШ”, Письма в ЖТФ, 17:14 (1991), 36–38 |
|
1990 |
| 24. |
В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, А. Н. Соляков, “Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через
полуизолирующую подложку”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2111–2116 |
| 25. |
Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин, “Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы
с изолированным затвором”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 978–981 |
| 26. |
Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин, “Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах.
I. Электрофизические
свойства гетероперехода”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 788–794 |
|
1986 |
| 27. |
Э. А. Ильичев, С. К. Максимов, Е. Н. Нагдаев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев
в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2245–2247 |
| 28. |
Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, “Модуляция ОПЗ в структурах изолятор–полупроводник, полученных
в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1782–1786 |
| 29. |
С. М. Афанасьев, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, Б. В. Стрижков, “Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1565–1571 |
| 30. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Захват носителей в структурах
изолятор–полупроводник, полученных МОС
гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 757–759 |
| 31. |
Э. А. Ильичев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, “Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора
Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 594–602 |
|
1984 |
| 32. |
Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Полевой транзистор с изолированным затвором”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 420–422 |
|
