|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
М. Е. Компан, А. В. Горбатюк, В. Г. Малышкин, В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd-поверхностно-окисленный InP”, Письма в ЖТФ, 48:17 (2022), 6–8   |
|
2019 |
| 2. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 533–539 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Inhomogeneous injection and heat-transfer processes in reversely switched dynistors operating in the pulse-frequency repetition modes with a limited heat sink”, Semiconductors, 53:4 (2019), 524–529 |
| 3. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Перераспределение токов и тепловых потерь в реверсивно-включаемом динисторе при наличии поперечного перепада температуры”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 57–60 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Redistribution of current and loss of heat in a reversely switched dynistor in the presence of a transverse temperature gradient”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1241–1244 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 835–843 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Simulation of reversely switched dynistors in modes with a lowered primary-ignition threshold”, Semiconductors, 51:6 (2017), 803–811 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
А. С. Кюрегян, А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 973–978 ; A. S. Kyuregyan, A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Effect of the anode-emitter injection efficiency on the characteristics of hybrid SIT–MOS transistors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 957–962 |
2
|
|
2015 |
| 6. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Имитационное моделирование субмикросекундных режимов работы высоковольтных реверсивно-включаемых динисторов”, ЖТФ, 85:8 (2015), 94–99 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Simulation modeling of submicrosecond operating conditions for high-voltage reversely switched dynistors”, Tech. Phys., 60:8 (2015), 1198–1203 |
3
|
| 7. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Эффективный способ уменьшения порога управляемого запуска быстродействующих реверсивно-включаемых динисторов”, Письма в ЖТФ, 41:7 (2015), 28–35 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “An efficient method for reducing the threshold of controlled triggering of fast reversely switched dinistors”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 320–323 |
1
|
|
2014 |
| 8. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Васильева, Н. А. Пихтин, А. В. Рожков, А. В. Горбатюк, В. В. Золотарев, Д. А. Веселов, А. В. Жаботинский, А. А. Петухов, И. С. Тарасов, Т. А. Багаев, М. В. Зверков, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 716–718 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Vasil'eva, N. A. Pikhtin, A. V. Rozhkov, A. V. Gorbatyuk, V. V. Zolotarev, D. A. Veselov, A. V. Zhabotinsky, A. A. Petukhov, I. S. Tarasov, T. A. Bagaev, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “On the control efficiency of a high-power laser thyristor emitting in the 890–910 nm spectral range”, Semiconductors, 48:5 (2014), 697–699 |
18
|
|
2013 |
| 9. |
А. В. Горбатюк, Д. В. Гусин, Б. В. Иванов, “Теория и моделирование комбинированных механизмов ограничения области безопасной работы полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 373–382 ; A. V. Gorbatyuk, D. V. Gusin, B. V. Ivanov, “Theory and simulation of combined mechanisms limiting the safe operating area of power semiconductor microelectronic switches”, Semiconductors, 47:3 (2013), 396–405 |
5
|
|
2012 |
| 10. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин, “Эффекты локализации тока в мощных биполярных переключателях с микрозатворами при неидеальной связи управляемых элементов”, ЖТФ, 82:5 (2012), 57–65 ; A. V. Gorbatyuk, I. V. Grekhov, D. V. Gusin, “Effects of current localization in high-power microgate bipolar switches with nonideal interconnection between controlled cells”, Tech. Phys., 57:5 (2012), 636–643 |
2
|
| 11. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, И. Е. Панайотти, Ф. Б. Серков, “Переходные характеристики реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 38:8 (2012), 81–88 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, I. E. Panaiotti, F. B. Serkov, “Transient characteristics of reversely switched dynistors in the submicrosecond pulse range”, Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 392–395 |
7
|
|
1991 |
| 12. |
А. В. Горбатюк, И. Е. Панайотти, “Термогенерационный пробой канала двойной инжекции в полупроводниковой
структуре”, ЖТФ, 61:6 (1991), 83–92  |
|
1990 |
| 13. |
А. В. Горбатюк, И. Е. Панайотти, “Динамический перегрев реверсивно включаемых динисторов”, ЖТФ, 60:5 (1990), 129–135 |
| 14. |
А. В. Горбатюк, П. Б. Родин, “Механизм пространственно-периодического расслоения тока в тиристоре”, Письма в ЖТФ, 16:13 (1990), 89–93 |
|
1989 |
| 15. |
А. В. Горбатюк, И. А. Линийчук, А. В. Свирин, “Пространственно-периодическое разрушение тиристора в режиме
динамической перегрузки”, Письма в ЖТФ, 15:6 (1989), 42–45 |
|
1986 |
| 16. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, С. В. Коротков, К. В. Муковников, “О влиянии электродинамических эффектов на однородность
коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах
большой мощности”, ЖТФ, 56:9 (1986), 1860–1861 |
|
1985 |
| 17. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Шубников, “Влияние гидростатического сжатия на время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985), 1288–1293 |
|
1983 |
| 18. |
И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, С. В. Коротков, Н. С. Яковчук, “Мощный переключатель микросекундного диапазона —
реверсивно-включаемый динистор”, ЖТФ, 53:9 (1983), 1822–1826 |
| 19. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, А. В. Наливкин, “Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее
импульсном инжекционном возбуждении”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1271–1275 |
| 20. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин, “Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых
динисторов в субмикросекундном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1217–1221 |
| 21. |
И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, К. В. Муковников, И. А. Смирнова, “Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой
тиристор (ИПТ)”, Письма в ЖТФ, 9:1 (1983), 18–21 |
|
