|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
В. М. Бойко, В. Н. Брудный, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, “Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 782–785   ; V. M. Boiko, V. N. Brudnyi, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, “On the electronic properties of GaSb irradiated with reactor neutrons and its charge neutrality level”, Semiconductors, 49:6 (2015), 763–766 |
2
|
|
2014 |
| 2. |
В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, “Электронные свойства $p$-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 885–889 ; V. M. Boiko, V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, A. Ya. Polyakov, “Electronic properties of $p$-GaN(Mg) irradiated with reactor neutrons”, Semiconductors, 48:7 (2014), 859–863 |
1
|
|
2012 |
| 3. |
В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, “Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 450–456 ; V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, A. V. Govorkov, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, A. Ya. Polyakov, N. B. Smirnov, “Electronic properties and deep traps in electron-irradiated $n$-GaN”, Semiconductors, 46:4 (2012), 433–439 |
6
|
|
1990 |
| 4. |
Н. Г. Колин, И. А. Королева, А. В. Марков, В. Б. Освенский, “Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические
свойства ядерно легированного арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 187–189 |
|
1988 |
| 5. |
Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, Н. Г. Колин, Е. А. Кудрявцева, Т. А. Прохоренко, “Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1850–1852 |
| 6. |
Н. Г. Колин, Л. В. Куликова, В. Б. Освенский, “Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких
температурах”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1025–1030 |
| 7. |
Р. И. Глориозова, Л. И. Колесник, Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, “Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 507–509 |
|
1987 |
| 8. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, “Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 521–524 |
| 9. |
Н. Г. Колин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 327–330 |
|
1986 |
| 10. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, “Свойства ядерно-легированного арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 822–827 |
|
1985 |
| 11. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко, С. М. Иевлев, “Свойства арсенида галлия, легированного Ge и Se облучением в тепловой
колонне ядерного реактора”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1558–1565 |
| 12. |
Л. И. Колесник, Н. Г. Колин, А. М. Лошинский, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко, “Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом
фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1211–1216 |
|
1984 |
| 13. |
Н. Г. Колин, Л. В. Куликова, В. Б. Освенский, С. П. Соловьев, В. А. Харченко, “Изменение электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида
галлия при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2187–2192 |
|
|
|
2012 |
| 14. |
В. Н. Брудный, В. Т. Бублик, Б. Н. Гощицкий, В. В. Емцев, Ю. А. Казанский, Р. Ф. Коноплева, Ю. В. Конобеев, Н. Г. Колин, И. И. Кузьмин, В. Н. Мордкович, Р. П. Озеров, В. Б. Освенский, А. А. Стук, В. А. Харченко, “Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1374–1375 |
|
