|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. И. Рембеза, С. А. Белоусов, Н. Н. Кошелева, Е. С. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. Suvaci, E. Özel, G. Tuncolu, C. Açiksari, “Аморфные пленки тройных оксидов цинка и олова для прозрачной электроники”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 73–80   ; S. I. Rembeza, S. A. Belousov, N. N. Kosheleva, E. S. Rembeza, T. V. Svistova, E. Suvaci, E. Özel, G. Tuncolu, C. Açiksari, “Amorphous films of ternary zinc and tin oxides for transparent electronics”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 984–987 |
4
|
|
2015 |
| 2. |
С. И. Рембеза, Е. С. Рембеза, Н. Н. Кошелева, В. М. Аль Тамееми, “Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO$_2$+3% SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1273–1277 ; S. I. Rembeza, E. S. Rembeza, N. N. Kosheleva, V. M. Al Tameemi, “Effect of catalytic surface modification on the gas sensitivity of SnO$_2$+3% SiO$_2$ films”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1237–1241 |
2
|
| 3. |
С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, Н. Н. Кошелева, С. В. Овсянников, В. М. Аль Тамееми, “Влияние оптического излучения на адсорбционные процессы взаимодействия газов-восстановителей с пленкой SnO$_2$”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015), 32–39 ; S. I. Rembeza, T. V. Svistova, N. N. Kosheleva, S. V. Ovsyannikov, V. M. Al Tameemi, “Influence of light on the adsorption processes during interaction between reducer gases and a SnO$_2$ film”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1128–1131 |
2
|
|
2014 |
| 4. |
С. И. Рембеза, Н. Н. Кошелева, Е. С. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. Ю. Плотникова, Е. Suvaci, E. Özel, G. Tuncolu, C. Açiksari, “Синтез многокомпонентных металлооксидных пленок различного состава (SnO$_2$)$_x$(ZnO)$_{1-x}$ ($x$ = 1–0.5)”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1147–1151 ; S. I. Rembeza, N. N. Kosheleva, E. S. Rembeza, T. V. Svistova, E. Yu. Plotnikova, E. Suvaci, E. Özel, G. Tuncolu, C. Açiksari, “Synthesis of compositionally different multicomponent metal-oxide films (SnO$_2$)$_x$(ZnO)$_{1-x}$ ($x$ = 1–0.5)”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1118–1122 |
4
|
|
2012 |
| 5. |
С. И. Рембеза, Ю. В. Шматова, Т. В. Свистова, Е. С. Рембеза, Н. Н. Кошелева, “Электрические и газосенсорные свойства нанокомпозита на основе SnO$_2$ с многостенными углеродными нанотрубками”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1213–1216 ; S. I. Rembeza, Yu. V. Shmatova, T. V. Svistova, E. S. Rembeza, N. N. Kosheleva, “Electrical and gas-sensitive properties of a SnO$_2$-based nanocomposite with multiwalled carbon nanotubes”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1190–1193 |
3
|
|
1990 |
| 6. |
А. И. Плотников, В. А. Логинов, С. И. Рембеза, “Исследование процессов плавления и кристаллизации
ионно-имплантированного сурьмой кремния, подвергнутого
действию мощного некогерентного излучения”, ЖТФ, 60:12 (1990), 131–134  |
|
1989 |
| 7. |
А. И. Плотников, С. И. Рембеза, В. А. Логинов, А. П. Дорофеев, “Локальное поверхностное плавление ионно-имплантированного кремния”, ЖТФ, 59:11 (1989), 181–183 |
| 8. |
А. А. Лебедев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, М. Н. Степанова, Н. П. Ярославцев, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах
в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 897–899 |
| 9. |
В. А. Логинов, А. И. Плотников, С. И. Рембеза, “Управление периодом поверхностного рельефа конденсированных сред”, Письма в ЖТФ, 15:14 (1989), 48–52 |
| 10. |
А. И. Плотников, С. И. Рембеза, В. А. Логинов, “Формирование поверхностных периодических структур под действием
некогерентного излучения”, Письма в ЖТФ, 15:10 (1989), 55–59 |
|
1988 |
| 11. |
Ю. В. Захаров, Д. И. Материкин, Н. Н. Прибылов, Л. П. Бордюжа, С. И. Рембеза, “Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной
фотопроводимости $n\text{-GaP}\langle\text{Ni}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 485–488 |
|
1987 |
| 12. |
О. Г. Кутукова, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Н. П. Ярославцев, “Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, имплантированных ионами
железа”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1335–1336 |
|
1986 |
| 13. |
В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, Н. П. Ярославцев, “Диэлектрическая релаксация, связанная с глубокими уровнями
в высокоомных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2230–2233 |
| 14. |
В. А. Логинов, Н. М. Медведев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Н. П. Ярославцев, “Внутреннее трение в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$,
имплантированных ионами бора”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 913–915 |
|
1985 |
| 15. |
В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, Н. П. Ярославцев, “Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках”, Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2081–2085 |
|
1984 |
| 16. |
В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Н. П. Ярославцев, “Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия”, Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2228–2229 |
|
1983 |
| 17. |
Л. П. Бордюжа, Д. И. Материкин, В. С. Постников, С. И. Рембеза, “Многофононное поглощение света глубокими заряженными примесными центрами”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2787–2789 |
| 18. |
В. И. Кириллов, Н. Н. Прибылов, С. И. Рембеза, А. И. Спирин, В. В. Тесленко, “Состояние примесных атомов
Сr и Со в GaP”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1149–1151 |
|
