|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. М. Король, А. В. Заставной, Y. Kudriavtsev, R. Asomoza, “Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 579–584   ; V. M. Korol', A. V. Zastavnoi, Y. Kudriavtsev, R. Asomoza, “Negative annealing in silicon after the implantation of high-energy sodium ions”, Semiconductors, 51:5 (2017), 549–555 |
|
2016 |
| 2. |
А. В. Заставной, В. М. Король, “Низкотемпературная диффузия натрия, имплантированного в кремний”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 53–60 ; A. V. Zastavnoi, V. M. Korol', “Low-temperature diffusion of implanted sodium in silicon”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 415–418 |
6
|
|
2013 |
| 3. |
Ю. Кудрявцев, R. Asomoza, M. Mansurova, L. Perez, В. М. Король, “Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$”, ЖТФ, 83:5 (2013), 115–124 ; Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza, M. Mansurova, L. Perez, V. M. Korol', “Sputtering of the target surface by Cs$^+$ ions: Steady-state concentration of implanted cesium and emission of CsM$^+$ cluster ions”, Tech. Phys., 58:5 (2013), 735–743 |
4
|
|
2012 |
| 4. |
В. М. Король, Yu. Kudriavtsev, “Ионное легирование германия натрием”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 268–273 ; V. M. Korol', Yu. Kudriavtsev, “Implantation of sodium ions into germanium”, Semiconductors, 46:2 (2012), 257–262 |
5
|
|
1985 |
| 5. |
С. А. Герасимов, В. М. Король, “Универсальный закон торможения быстрых заряженных частиц веществом”, Письма в ЖТФ, 11:17 (1985), 1076–1080  |
|
