|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, В. В. Гудзев, А. В. Ермачихин, Д. В. Жилина, В. Г. Литвинов, А. Д. Маслов, В. Г. Мишустин, Е. И. Теруков, A. С. Титов, “Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 787–791   ; S. P. Vikhrov, N. V. Vishnyakov, V. V. Gudzev, A. V. Ermachikhin, D. V. Zhilina, V. G. Litvinov, A. D. Maslov, V. G. Mishustin, E. I. Terukov, A. S. Titov, “Study of deep levels in a HIT solar cell”, Semiconductors, 52:7 (2018), 926–930 |
7
|
|
2016 |
| 2. |
А. В. Алпатов, С. П. Вихров, А. Г. Казанский, В. Л. Лясковский, Н. Б. Рыбин, Н. В. Рыбина, П. А. Форш, “Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок $nc$-Si/$a$-Si : H с различной долей кристаллической фазы”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 600–606 ; A. V. Alpatov, S. P. Vikhrov, A. G. Kazanskii, V. L. Lyaskovskii, N. B. Rybin, N. V. Rybina, P. A. Forsh, “Study of the correlation properties of the surface structure of $nc$-Si/$a$-Si : H films with different fractions of the crystalline phase”, Semiconductors, 50:5 (2016), 590–595 |
7
|
| 3. |
А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. М. Мурсалов, Н. Б. Рыбин, Н. В. Рыбина, “Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 23–29 ; A. V. Alpatov, S. P. Vikhrov, N. V. Vishnyakov, S. M. Mursalov, N. B. Rybin, N. V. Rybina, “On a combined approach to studying the correlation parameters of self-organizing structures”, Semiconductors, 50:1 (2016), 22–28 |
11
|
|
2015 |
| 4. |
А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Рыбина, “Исследование корреляционных параметров структуры поверхности неупорядоченных полупроводников с помощью методов двумерного DFA и средней взаимной информации”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 467–471 ; A. V. Alpatov, S. P. Vikhrov, N. V. Rybina, “Study of the correlation parameters of the surface structure of disordered semiconductors by the two-dimensional DFA and average mutual information methods”, Semiconductors, 49:4 (2015), 456–460 |
8
|
|
2013 |
| 5. |
А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Гришанкина, “Выявление корреляций поверхностного интерфейса пленок $a$-Si:H методом двумерного флуктуационного анализа”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 340–347 ; A. V. Alpatov, S. P. Vikhrov, N. V. Grishankina, “Revealing the surface interface correlations in $a$-Si:H films by 2D detrended fluctuation analysis”, Semiconductors, 47:3 (2013), 365–371 |
16
|
|
2012 |
| 6. |
А. П. Авачев, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. А. Козюхин, К. В. Митрофанов, Е. И. Теруков, “Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ по данным комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 609–612 ; A. P. Avachev, S. P. Vikhrov, N. V. Vishnyakov, S. A. Kozyukhin, K. V. Mitrofanov, E. I. Terukov, “Phase transitions in thin Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ chalcogenide films according to Raman spectroscopy data”, Semiconductors, 46:5 (2012), 591–594 |
4
|
| 7. |
С. П. Вихров, Т. Г. Авачева, Н. В. Бодягин, Н. В. Гришанкина, А. П. Авачев, “Установление степени упорядочения структуры материалов на основе расчета информационно-корреляционных характеристик”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 433–438 ; S. P. Vikhrov, T. G. Avacheva, N. V. Bodyagin, N. V. Grishankina, A. P. Avachev, “Determination of the degree of ordering of materials’ structure by calculating the information-correlation characteristics”, Semiconductors, 46:4 (2012), 415–421 |
7
|
|
1985 |
| 8. |
С. А. Дембовский, С. П. Вихров, В. Н. Ампилогов, Е. А. Чечеткина, “Влияние слабого магнитного поля на электрическое переключение в халькогенидных стеклообразных полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 11:20 (1985), 1267–1271  |
|
1984 |
| 9. |
С. П. Вихров, Г. Юшка, В. Н. Ампилогов, “К природе инверсии типа проводимости в ХСП систем
Ge$-$Se$-$Bi и Ge$-$S$-$Bi”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 348–350 |
|
