|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
А. Е. Алексенский, П. Н. Брунков, А. Т. Дидейкин, Д. А. Кириленко, Ю. В. Кудашова, Д. А. Саксеев, В. А. Севрюк, М. С. Шестаков, “Однослойные пленки оксида графена на поверхности кремния”, ЖТФ, 83:11 (2013), 67–71   ; A. E. Aleksenskii, P. N. Brunkov, A. T. Dideikin, D. A. Kirilenko, Yu. V. Kudashova, D. A. Sakseev, V. A. Sevryuk, M. S. Shestakov, “Single-layer graphene oxide films on a silicon surface”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1614–1618 |
18
|
|
2012 |
| 2. |
А. В. Бобыль, С. Г. Конников, В. М. Устинов, М. В. Байдакова, Н. А. Малеев, Д. А. Саксеев, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, И. В. Прокопенко, “Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 833–844 ; A. V. Bobyl', S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, M. V. Baidakova, N. A. Maleev, D. A. Sakseev, R. V. Konakova, V. V. Milenin, I. V. Prokopenko, “Radiation-induced surface degradation of GaAs and high electron mobility transistor structures”, Semiconductors, 46:6 (2012), 814–824 |
4
|
| 3. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, А. В. Бобыль, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, Д. А. Саксеев, И. С. Тарасов, В. Н. Шеремет, М. А. Яговкина, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 348–355 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, A. V. Bobyl', N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, D. A. Sakseev, I. S. Tarasov, V. N. Sheremet, M. A. Yagovkina, “Temperature dependence of the contact resistance of ohmic contacts to III–V compounds with a high dislocation density”, Semiconductors, 46:3 (2012), 334–341 |
9
|
|
2011 |
| 4. |
Г. Г. Соминский, В. Е. Сезонов, Д. А. Саксеев, Т. А. Тумарева, “Влияние полей пятен на полевую эмиссию композитов”, ЖТФ, 81:6 (2011), 104–108 ; G. G. Sominskii, V. E. Sezonov, D. A. Sakseev, T. A. Tumareva, “Influence of the spot field on field emission from composites”, Tech. Phys., 56:6 (2011), 850–854 |
11
|
| 5. |
Г. К. Расулова, П. Н. Брунков, И. В. Пентин, В. В. Ковалюк, К. Н. Горшков, А. Ю. Казаков, С. Ю. Иванов, А. Ю. Егоров, Д. А. Саксеев, С. Г. Конников, “Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs”, ЖТФ, 81:6 (2011), 80–84 ; G. K. Rasulova, P. N. Brunkov, I. V. Pentin, V. V. Kovalyuk, K. N. Gorshkov, A. Yu. Kazakov, S. Yu. Ivanov, A. Yu. Egorov, D. A. Sakseev, S. G. Konnikov, “Mutual synchronization of two coupled self-oscillators based on GaAs/AlGaAs superlattices”, Tech. Phys., 56:6 (2011), 826–830 |
2
|
| 6. |
Д. А. Саксеев, Е. М. Ершенко, С. В. Барышев, А. В. Бобыль, Д. В. Агафонов, “Измерение глубоких микрорельефов и стереосъемка в растровой электронной микроскопии”, ЖТФ, 81:1 (2011), 131–136 ; D. A. Sakseev, E. M. Ershenko, S. V. Baryshev, A. V. Bobyl', D. V. Agafonov, “Deep microrelief measurement and stereo photography in scanning electron microscopy”, Tech. Phys., 56:1 (2011), 127–131 |
7
|
|
1987 |
| 7. |
Г. А. Гришина, Н. Н. Берчекко, Г. И. Годердзишвили, И. А. Драбкин, А. В. Матвеенко, Т. Д. Мхеидзе, Д. А. Саксеев, Е. А. Третьякова, “Поверхностно-барьерные структуры с промежуточным слоем
на Pb$_{0.77}$Sn$_{0.23}$Te”, ЖТФ, 57:12 (1987), 2355–2360  |
|
