|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. В. Емцев, Н. А. Соболев, Г. А. Оганесян, А. Е. Калядин, В. В. Топоров, Д. С. Полоскин, А. М. Маляренко, “Фотолюминесценция, связанная с дислокациями в кремнии, пластически деформированном при изгибе центральной симметрии”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 810–816   |
|
2023 |
| 2. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, “Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 53–57 |
1
|
|
2022 |
| 3. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, S. B. Lastovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, A. A. Aref'ev, “Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation”, Физика твердого тела, 64:12 (2022), 1915 |
| 4. |
В. И. Веттегрень, А. Г. Кадомцев, И. П. Щербаков, Р. И. Мамалимов, Г. А. Оганесян, “Влияние кристаллографической ориентации кремния на образование “первичных” трещин”, Физика твердого тела, 64:5 (2022), 560–563 |
| 5. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, “Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022), 441–445 |
| 6. |
А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 225–228 |
|
2021 |
| 7. |
В. И. Веттегрень, А. Г. Кадомцев, И. П. Щербаков, Р. И. Мамалимов, Г. А. Оганесян, ““Зародышевые” трещины на поверхности кристалла кремния”, Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1594–1597 ; V. I. Vettegren, A. G. Kadomtsev, I. P. Shcherbakov, R. I. Mamalimov, G. A. Oganesyan, ““Nucleation” cracks on the surface of a silicon crystal”, Phys. Solid State, 63:12 (2021), 1847–1850 |
|
2020 |
| 8. |
V. V. Emtsev, G. A. Oganesyan, “Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1188 ; Semiconductors, 54:11 (2020), 1388–1394 |
| 9. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 45 ; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 |
1
|
|
2018 |
| 10. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1578 ; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 |
2
|
| 11. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
|
2017 |
| 12. |
V. V. Emtsev, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1632–1646 ; Semiconductors, 51:12 (2017), 1571–1587 |
3
|
| 13. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046 |
|
2016 |
| 14. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1313–1319 ; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 |
8
|
| 15. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 16. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 80–86 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 |
6
|
|
2014 |
| 17. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1592–1596 ; Semiconductors, 48:12 (2014), 1552–1556 |
3
|
| 18. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1473–1478 ; Semiconductors, 48:11 (2014), 1438–1443 |
12
|
|
2012 |
| 19. |
V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovski, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, G. Wagner, “Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 473–481 ; Semiconductors, 46:4 (2012), 456–465 |
33
|
|
