|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция редкоземельных атомов на эпитаксиальном графене: аналитические оценки”, Письма в ЖТФ, 52:1 (2026), 45–47  |
|
2025 |
| 2. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция органической макромолекулы на свободном и эпитаксиальном графене со щелью в электронном спектре”, ЖТФ, 95:3 (2025), 560–564  |
| 3. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Простая схема работы резистивного биосенсора на основе графена”, Письма в ЖТФ, 51:7 (2025), 39–42 |
|
2023 |
| 4. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Особенности фактора термоэлектрической мощности капсулированных структур, образованных двумерными слоями”, Физика твердого тела, 65:4 (2023), 652–655 |
| 5. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Теоретические оценки фактора термоэлектрической мощности графена, капсулированного между 3D и 2D полупроводниковыми и металлическими слоями”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 758–766 |
|
2022 |
| 6. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Электрон-фононное взаимодействие в адсорбционной модели поверхностного димера”, Физика твердого тела, 64:7 (2022), 871–873 |
| 7. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Электронные состояния атомов в монослоях, адсорбированных на карбиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 221–224 |
| 8. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Магнитные состояния в модели поверхностного димера”, Письма в ЖТФ, 48:3 (2022), 14–16 |
|
2021 |
| 9. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “О природе красного сдвига $G$-пика раман-спектра в эпитаксиальном двумерном слое”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 550–553 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “On the nature of red shift of the Raman $G$ peak in an epitaxial two-dimensional layer”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 530–533 |
| 10. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Упругие свойства графеноподобных соединений: модели Китинга и Харрисона”, Физика твердого тела, 63:2 (2021), 304–307 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Elastic properties of graphene-like compounds: the Keating's and Harisson's models”, Phys. Solid State, 63:2 (2021), 368–371 |
| 11. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Модель контакта двумерного металла и графеноподобного соединения с учетом их взаимодействия”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 578–583 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Model of a “Two-dimensional metal–graphene-like compound” junction: consideration for interaction between the components”, Semiconductors, 55:7 (2021), 595–600 |
| 12. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 326–330 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of II and VI groups atoms on the silicon carbide polytypes”, Semiconductors, 55:4 (2021), 399–404 |
1
|
| 13. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Барьер Шоттки на контакте магнитного 3$d$-металла с полупроводником”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 37–39 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “The Schottky barrier on a contact of a magnetic 3$d$ metal with a semiconductor”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 550–552 |
1
|
| 14. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 28–30 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “The role of Coulomb interaction in the defect model of a Schottky barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 234–236 |
|
2020 |
| 15. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 298–301 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of Ga and Cl atoms and GaCl molecule on silicon carbide: model approach”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 350–353 |
2
|
| 16. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1197–1202 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of I and VII groups atoms on the silicon carbide polytypes”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1410–1416 |
4
|
| 17. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов бария на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 16–19 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Adsorption of barium atoms on silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 12–15 |
3
|
|
2019 |
| 18. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Об адсорбции газов на карбиде кремния: простые оценки”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1538–1541 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “On the gases adsorption on silicon carbide: simple estimates”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1490–1493 |
4
|
|
2017 |
| 19. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Влияние адсорбции на работу выхода и проводимость углеродных наноструктур: противоречивость экспериментальных данных”, ЖТФ, 87:4 (2017), 635–638 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Influence of adsorption on the work function and conductivity of carbon nanostructures: Inconsistency of experimental data”, Tech. Phys., 62:4 (2017), 656–659 |
8
|
|
2016 |
| 20. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Оценки спонтанной поляризации бинарных и тройных соединений нитридов третьей группы”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 630–632 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Estimations of the spontaneous polarization of binary and ternary compounds of group III nitrides”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 647–649 |
3
|
|
2015 |
| 21. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Низкоэнергетическое приближение в теории адсорбции на графене”, Физика твердого тела, 57:8 (2015), 1654–1657 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “Low-energy approximation in the theory of adsorption on graphene”, Phys. Solid State, 57:8 (2015), 1695–1698 |
10
|
| 22. |
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “К теории упругих свойств двумерных гексагональных структур”, Физика твердого тела, 57:4 (2015), 819–824 ; S. Yu. Davydov, O. V. Posrednik, “On the theory of elastic properties of two-dimensional hexagonal structures”, Phys. Solid State, 57:4 (2015), 837–843 |
28
|
|
2012 |
| 23. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, О. В. Посредник, “О возможностях экспериментального определения величины спонтанной поляризации политипов карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 937–939 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, O. V. Posrednik, “On the possibility of the experimental determination of spontaneous polarization for silicon carbide polytypes”, Semiconductors, 46:7 (2012), 913–916 |
1
|
|
