|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Семакова, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Пивоварова, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687   |
| 2. |
А. А. Семакова, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 502–506 ; A. A. Semakova, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. V. Chernyaev, S. S. Kizhaev, N. D. Stoyanov, “Study of the current–voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in the 4.2–300 K temperature range”, Semiconductors, 55:6 (2021), 557–561 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
А. А. Семакова, С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, С. С. Кижаев, А. В. Черняев, Н. Д. Стоянов, H. Lipsanen, “Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020), 51–54 ; A. A. Semakova, S. N. Lipnitskaya, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, S. S. Kizhaev, A. V. Chernyaev, N. D. Stoyanov, H. Lipsanen, “Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an inas active region”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 150–153 |
2
|
|
2017 |
| 4. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 |
5
|
|
2013 |
| 5. |
А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, К. В. Калинина, Н. Д. Стоянов, Х. М. Салихов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1270–1275 ; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, K. V. Kalinina, N. D. Stoyanov, Kh. M. Salikhov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “High-temperature luminescence in an $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb light-emitting heterostructure with a high potential barrier”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1258–1263 |
2
|
| 6. |
К. В. Калинина, М. П. Михайлова, Б. Е. Журтанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 75–82 ; K. V. Kalinina, M. P. Mikhailova, B. E. Zhurtanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Superlinear electroluminescence in GaSb-based heterostructures with high potential barriers”, Semiconductors, 47:1 (2013), 73–80 |
10
|
|
2012 |
| 7. |
А. А. Петухов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C”, ЖТФ, 82:1 (2012), 73–76 ; A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electrical and electroluminescent properties of InAsSb-Based LEDs ($\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m) in the temperature interval 20–200$^\circ$C”, Tech. Phys., 57:1 (2012), 69–73 |
3
|
|
2011 |
| 8. |
А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах”, ЖТФ, 81:4 (2011), 91–96 ; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescent characteristics of InGaAsSb/GaAlAsSb heterostructure Mid-IR LEDs at high temperatures”, Tech. Phys., 56:4 (2011), 520–525 |
6
|
|
