|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025), 34–37   |
|
2024 |
| 2. |
П. А. Алексеев, Е. В. Куницына, В. С. Сунцова, А. Н. Баранов, В. В. Романов, К. Д. Моисеев, “Проводимость наноконтакта к A$^{\mathrm{III}}$As- и A$^{\mathrm{III}}$Sb-полупроводникам со слоем естественного оксида”, Письма в ЖТФ, 50:11 (2024), 42–46 |
|
2023 |
| 3. |
А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 710–715 |
| 4. |
Е. В. Куницына, Я. А. Пархоменко, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 89–94 |
|
2022 |
| 5. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, Я. Я. Понуровский, А. И. Надеждинский, А. С. Кузьмичев, Д. Б. Ставровский, М. В. Спиридонов, “Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 508–515 |
1
|
|
2021 |
| 6. |
М. П. Михайлова, А. П. Дмитриев, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 995–1010 |
| 7. |
Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 607–613 ; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 |
1
|
|
2020 |
| 8. |
Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 677–683 ; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802 |
|
2019 |
| 9. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 50–54 ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 |
1
|
|
2018 |
| 10. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099 ; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 |
5
|
| 11. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 906–911 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 |
1
|
|
2017 |
| 12. |
М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017), 315–318 ; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 |
3
|
|
2016 |
| 13. |
Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1420–1424 ; E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 |
3
|
|
2015 |
| 14. |
И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. А. Пивоварова, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1720–1726 ; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1671–1677 |
5
|
| 15. |
Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 1003–1006 ; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, V. V. Parashchuk, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide”, Semiconductors, 49:7 (2015), 980–983 |
7
|
|
2013 |
| 16. |
И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, Н. Д. Ильинская, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1109–1115 ; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, G. S. Sokolovskii, V. V. Dyudelev, N. D. Il'inskaya, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “High-speed photodiodes for the mid-infrared spectral region 1.2–2.4 $\mu$m based on GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures with a transmission band of 2–5 GHz”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1103–1109 |
17
|
|
