|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. С. Пузанов, И. Ю. Забавичев, Н. Д. Абросимова, В. В. Бибикова, Е. В. Волкова, А. Д. Недошивина, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, Б. А. Логинов, Д. Ю. Блинников, В. С. Второва, Е. А. Ляшко, В. В. Кириллова, В. С. Макеев, А. Р. Первых, С. В. Оболенский, “Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 668–675   |
|
2023 |
| 2. |
Б. А. Логинов, Д. Ю. Блинников, В. С. Второва, В. В. Кириллова, Е. А. Ляшко, В. С. Макеев, А. Р. Первых, Н. Д. Абросимова, И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, Е. В. Волкова, Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, “Особенности трансформации микрорельефа структур “кремний на изоляторе” при воздействии фотонных и корпускулярных излучений”, ЖТФ, 93:7 (2023), 1025–1031 |
|
2022 |
| 3. |
Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ нелинейных искажений D$p$HEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 844–847 |
|
2021 |
| 4. |
Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 872–876 ; E. A. Tarasova, S. V. Khazanova, O. L. Golikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, “Analysis of the effect of spacer layers on nonlinear distortions of the current–voltage characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs”, Semiconductors, 55:12 (2021), 895–898 |
3
|
| 5. |
Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, Е. С. Семёновых, С. В. Хазанова, С. В. Оболенский, “Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 846–849 ; E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, E. S. Semyonovykh, S. V. Khazanova, S. V. Obolensky, “Experimental studies of modification of the characteristics of GaAs structures with Schottky contacts after exposure to fast neutrons”, Semiconductors, 55:12 (2021), 903–906 |
1
|
| 6. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784 |
| 7. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, S. V. Obolensky, “Simulation of the response of a low-barrier Mott diode to the influence of heavy charged particles from outer space”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 305–308 |
1
|
| 8. |
С. В. Оболенский, Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, “Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 38–41 ; S. V. Obolensky, E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, “A comprehensive study of radiation defect clusters in GaAs structures after neutron irradiation”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 248–251 |
3
|
|
2020 |
| 9. |
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 968–973 ; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, S. V. Khazanova, N. N. Grigoryeva, O. L. Golikov, A. B. Ivanov, A. S. Puzanov, “Compensation for the nonlinearity of the drain–gate I–V characteristic in field-effect transistors with a gate length of $\sim$100 nm”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160 |
6
|
|
2018 |
| 10. |
М. М. Венедиктов, Е. А. Тарасова, А. Д. Боженькина, С. В. Оболенский, В. В. Елесин, Г. В. Чуков, И. О. Метелкин, М. А. Кревский, Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, “Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1414–1420 ; M. M. Venediktov, E. A. Tarasova, A. D. Bozhen'kina, S. V. Obolensky, V. V. Elesin, G. V. Chukov, I. O. Metelkin, M. A. Krevskiy, D. I. Dyukov, A. G. Fefelov, “Analysis of the behavior of nonequilibrium semiconductor structures and microwave transistors during and after pulsed $\gamma$- and $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1518–1524 |
3
|
|
2017 |
| 11. |
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров, “Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1543–1546 ; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, O. E. Galkin, A. V. Hananova, A. B. Makarov, “Analysis of the GaN-HEMT parameters before and after gamma-neutron irradiation”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1490–1494 |
3
|
|
2016 |
| 12. |
Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, А. Ю. Чурин, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1605–1609 ; E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, A. Yu. Churin, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Microwave-signal generation in a planar Gunn diode with radiation exposure taken into account”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1579–1583 |
1
|
| 13. |
Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев, “Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1599–1604 ; E. A. Tarasova, E. S. Obolenskaya, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Nezhentsev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, G. V. Medvedev, “Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1574–1578 |
5
|
| 14. |
Е. А. Тарасова, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, Ю. Н. Свешников, В. И. Егоркин, В. А. Иванов, Г. В. Медведев, Д. С. Смотрин, “Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 331–338 ; E. A. Tarasova, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, Yu. N. Sveshnikov, V. I. Egorkin, V. A. Ivanov, G. V. Medvedev, D. S. Smotrin, “Study of the electron distribution in GaN and GaAs after $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 50:3 (2016), 326–333 |
6
|
|
2012 |
| 15. |
Е. А. Тарасова, Д. С. Демидова, С. В. Оболенский, А. Г. Фефелов, Д. И. Дюков, “Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1587–1592 |
|
