|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. Э. Климов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, Е. В. Федосенко, О. Е. Терещенко, “Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 22–25   |
1
|
|
2022 |
| 2. |
А. Э. Климов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, О. Е. Терещенко, “МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 243–249 |
|
2021 |
| 3. |
Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Н. С. Пащин, А. С. Тарасов, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерcтякова, “Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In”, ЖТФ, 91:6 (2021), 1040–1044 ; D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, A. B. Loginov, B. A. Loginov, N. S. Pschin, A. S. Tarasov, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Topology of PbSnTe:In layers versus indium concentration”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 878–882  |
|
2020 |
| 4. |
А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, “Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 796–800 ; A. N. Akimov, I. O. Akhundov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, N. S. Pschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Sign-alternating photoconductivity in PbSnTe : In films in the space-charge-limited current regime”, Semiconductors, 54:8 (2020), 951–955 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
А. С. Тарасов, Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, О. Е. Терещенко, “Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1795–1799 ; A. S. Tarasov, D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, O. E. Tereshchenko, “Modification of the surface properties of PbSnTe$\langle$In$\rangle$ epitaxial layers with composition near band inversion”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1704–1708 |
8
|
|
2017 |
| 6. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, А. С. Ярошевич, М. Л. Савченко, В. С. Эпов, Е. В. Федосенко, “Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1574–1578 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, A. S. Yaroshevich, M. L. Savchenko, V. S. Epov, E. V. Fedosenko, “Long-wavelength sensitivity limit in MBE-grown PbSnTe:In films: Correlation with the film structure and composition”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1522–1526 |
2
|
|
