|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1158–1163   ; K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  |
4
|
| 2. |
М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, А. П. Ковчавцев, “Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Письма в ЖТФ, 47:10 (2021), 11–14 ; M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, A. P. Kovchavtsev, “The effect of fluorine on the density of states at the anodic oxide layer/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As interface”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 478–481 |
|
2020 |
| 3. |
А. А. Фукс, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, Н. А. Валишева, А. В. Постников, “Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 3–12 ; A. A. Fuks, A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, N. A. Valisheva, A. V. Postnikov, “Effect of oxygen and fluorine absorption on the electronic structure of the InSb(111) surface”, Semiconductors, 54:1 (2020), 1–10 |
1
|
| 4. |
А. П. Ковчавцев, М. С. Аксенов, A. Е. Настовьяк, Н. А. Валишева, Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, Д. В. Дмитриев, “Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 10–13 ; A. P. Kovchavtsev, M. S. Aksenov, A. E. Nastovjak, N. A. Valisheva, D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, D. V. Dmitriev, “Study of the density of interface states at the insulator/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As interface”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 469–472 |
|
2019 |
| 5. |
М. А. Путято, Н. А. Валишева, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, Г. И. Юрко, И. И. Нестеренко, “Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1071–1078 ; M. A. Putyato, N. A. Valisheva, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, A. F. Skachkov, G. I. Yurko, I. I. Nesterenko, “A lightweight flexible solar cell based on a heteroepitaxial InGaP/GaAs structure”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1010–1016 |
4
|
| 6. |
А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, “Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 52–54 ; A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 |
12
|
| 7. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 59–62 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184 |
2
|
|
2017 |
| 8. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. А. Гузев, “Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 83–89 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583 |
|
2014 |
| 9. |
Д. Ю. Протасов, Н. Р. Вицина, Н. А. Валишева, Ф. Н. Дульцев, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N”, ЖТФ, 84:9 (2014), 96–99 ; D. Yu. Protasov, N. R. Vitsina, N. A. Valisheva, F. N. Dultsev, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Chromium mask for plasma-chemical etching of Al$_x$Ga$_{1-x}$N layers”, Tech. Phys., 59:9 (2014), 1356–1359 |
| 10. |
М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Т. А. Левцова, О. Е. Терещенко, “Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 322–326 ; M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, T. A. Levtsova, O. E. Tereshchenko, “Effect of fluorine on the electrical properties of anodic oxide/InAs(111)A interface”, Semiconductors, 48:3 (2014), 307–311 |
4
|
|
2013 |
| 11. |
Н. А. Валишева, В. Н. Кручинин, О. Е. Терещенко, А. С. Кожухов, Т. А. Левцова, С. В. Рыхлицкий, Д. В. Щеглов, “Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 532–537 ; N. A. Valisheva, V. N. Kruchinin, O. E. Tereshchenko, A. S. Kozhukhov, T. A. Levtsova, S. V. Rykhlitskii, D. V. Shcheglov, “Study of the morphology and optical properties of anodic oxide layers on InAs (111)III”, Semiconductors, 47:4 (2013), 555–560 |
1
|
|
2012 |
| 12. |
Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко, И. П. Просвирин, А. В. Калинкин, В. А. Голяшов, Т. А. Левцова, В. И. Бухтияров, “Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 569–575 ; N. A. Valisheva, O. E. Tereshchenko, I. P. Prosvirin, A. V. Kalinkin, V. A. Golyashov, T. A. Levtsova, V. I. Bukhtiyarov, “Formation of anodic layers on InAs (111)III. Study of the chemical composition”, Semiconductors, 46:4 (2012), 545–551 |
6
|
| 13. |
С. В. Еремеев, Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко, С. Е. Кулькова, “Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 53–59 ; S. V. Eremeev, N. A. Valisheva, O. E. Tereshchenko, S. E. Kul'kova, “Change in the electronic properties of an InAs (111)A surface at oxygen and fluorine adsorption”, Semiconductors, 46:1 (2012), 49–55 |
8
|
|
