|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, S. B. Lastovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, A. A. Aref'ev, “Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation”, Физика твердого тела, 64:12 (2022), 1915  |
|
2021 |
| 2. |
Ф. Ф. Комаров, С. Б. Ластовский, И. А. Романов, И. Н. Пархоменко, Л. А. Власукова, Г. Д. Ивлев, Y. Berencen, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, E. Wendler, “Слои кремния, гиперпересыщенные теллуром, для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2026–2037  |
|
2016 |
| 3. |
С. Б. Ластовский, В. П. Маркевич, А. С. Якушевич, Л. И. Мурин, В. П. Крылов, “Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 767–771 ; S. B. Lastovsky, V. P. Markevich, A. S. Yakushevich, L. I. Murin, V. P. Krylov, “Radiation-induced bistable centers with deep levels in silicon $n^{+}$–$p$ structures”, Semiconductors, 50:6 (2016), 751–755 |
11
|
|
2014 |
| 4. |
Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский, Л. И. Мурин, М. Молл, И. Пинтилие, “Образование и отжиг метастабильных комплексов межузельный кислород-межузельный углерод в кремнии $n$- и $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1492–1498 ; L. F. Makarenko, F. P. Korshunov, S. B. Lastovsky, L. I. Murin, M. Moll, I. Pintilie, “Formation and annealing of metastable (interstitial oxygen)-(interstitial carbon) complexes in $n$- and $p$-type silicon”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1456–1462 |
5
|
|
2012 |
| 5. |
В. В. Литвинов, А. Н. Петух, Ю. М. Покотило, В. П. Маркевич, С. Б. Ластовский, “Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 629–632 ; V. V. Litvinov, A. N. Petukh, Yu. M. Pokotilo, V. P. Markevich, S. B. Lastovsky, “Formation and annealing of radiation defects in tin-doped $p$-type germanium crystals”, Semiconductors, 46:5 (2012), 611–614 |
2
|
|
