|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, И. А. Рогачев, Е. В. Терешкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 21–28   |
|
2022 |
| 2. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, Д. Ю. Протасов, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 11–14 |
|
2021 |
| 3. |
С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 52–54 ; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332 |
|
2019 |
| 4. |
А. Б. Пашковский, И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин, А. Д. Закурдаев, “Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов”, ЖТФ, 89:2 (2019), 252–257 ; A. B. Pashkovskii, I. V. Kulikova, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, N. K. Pristupchik, L. V. Manchenko, V. G. Kalina, M. I. Lopin, A. D. Zakurdaev, “Thermal surface interface for high-power arsenide–gallium heterostructure fets”, Tech. Phys., 64:2 (2019), 220–225 |
|
2018 |
| 5. |
А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Я. Б. Мартынов, “Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 103–110 ; A. B. Pashkovskii, S. I. Novikov, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, Ya. B. Martynov, “Features of the upsurge in drift velocity of electrons in DA-pHEMT”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 804–807 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, “Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 42–51 ; A. B. Pashkovskii, S. I. Novikov, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, “A two-dimensional electron gas in donor–acceptor doped backward heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 562–566 |
1
|
|
2016 |
| 7. |
А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016), 41–47 ; A. A. Borisov, K. S. Zhuravlev, S. S. Zyrin, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, A. I. Toropov, N. D. Ursulyak, S. V. Sherbakov, “Studying average electron drift velocity in pHEMT structures”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851 |
5
|
|
2015 |
| 8. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова, “Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 81–87 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, V. G. Lapin, S. V. Sherbakov, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, A. A. Kapralova, “Adjusting the position of the optimum operating point of a power heterostructure field-effect transistor by forming a gate potential barrier based on a donor-acceptor structure”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 142–145 |
2
|
|
2014 |
| 9. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 684–692 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, E. I. Golant, A. A. Kapralova, “Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping”, Semiconductors, 48:5 (2014), 666–674 |
26
|
|
2012 |
| 10. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, А. Б. Соколов, “Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 38:17 (2012), 84–89 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, A. B. Sokolov, “Decreasing the role of transverse spatial electron transport and increasing the output power of heterostructure field-effect transistors”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 819–821 |
13
|
|
2011 |
| 11. |
В. И. Борисов, В. Г. Лапин, В. Е. Сизов, А. Г. Темирязев, “Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала”, Письма в ЖТФ, 37:3 (2011), 85–92 ; V. I. Borisov, V. G. Lapin, V. E. Sizov, A. G. Temiryazev, “Transistor structures with controlled potential profile in one-dimensional quantum channel”, Tech. Phys. Lett., 37:2 (2011), 136–139 |
|
