|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. В. Кононина, Ю. В. Балакшин, К. А. Гончар, И. В. Божьев, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Аморфизация кремниевых нанонитей при облучении ионами аргона”, Письма в ЖТФ, 48:2 (2022), 11–14   |
|
2021 |
| 2. |
E. M. Elsehly, А. П. Евсеев, Е. А. Воробьева, Ю. В. Балакшин, Н. Г. Чеченин, А. А. Шемухин, “Влияние облучения ионами аргона на фильтрационные свойства многостенных углеродных нанотрубок”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 21–25 |
|
2019 |
| 3. |
А. И. Морковкин, Е. А. Воробьева, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Модификация смачиваемости углеродных нанотрубок с помощью ионного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1692–1696 ; A. I. Morkovkin, E. A. Vorobyeva, A. P. Evseev, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, “Modification of carbon nanotubes wettability by ion irradiation”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1683–1687 |
8
|
| 4. |
Ю. В. Балакшин, А. В. Кожемяко, S. Petrovic, M. Erich, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1030–1036 ; Yu. V. Balakshin, A. V. Kozhemiako, S. Petrovic, M. Erich, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Influence of the charge state of xenon ions on the depth distribution profile upon implantation into silicon”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1011–1017 |
3
|
| 5. |
А. В. Кожемяко, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 810–815 ; A. V. Kozhemiako, A. P. Evseev, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, “Features of defect formation in the nanostructured silicon under ion irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 800–805 |
9
|
|
2018 |
| 6. |
Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, А. В. Назаров, А. В. Кожемяко, В. С. Черныш, “In situ модификация и анализ состава и кристаллической структуры кремниевой мишени с помощью ионно-пучковых методик”, ЖТФ, 88:12 (2018), 1900–1907 ; Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, A. V. Nazarov, A. V. Kozhemiako, V. S. Chernysh, “In situ modification and analysis of the composition and crystal structure of a silicon target by ion-beam methods”, Tech. Phys., 63:12 (2018), 1861–1867 |
21
|
|
2017 |
| 7. |
А. В. Кожемяко, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 778–782 ; A. V. Kozhemiako, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Study of the distribution profile of iron ions implanted into silicon”, Semiconductors, 51:6 (2017), 745–750 |
5
|
|
2014 |
| 8. |
А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, “Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 535–538 ; A. A. Shemukhin, Yu. V. Balakshin, V. S. Chernysh, S. A. Golubkov, N. N. Egorov, A. I. Sidorov, “Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiation”, Semiconductors, 48:4 (2014), 517–520 |
11
|
|
2012 |
| 9. |
А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, А. С. Патракеев, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, Б. А. Малюков, В. Н. Стаценко, В. Д. Чумак, “Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 83–89 ; A. A. Shemukhin, Yu. V. Balakshin, V. S. Chernysh, A. S. Patrakeev, S. A. Golubkov, N. N. Egorov, A. I. Sidorov, B. A. Malyukov, V. N. Statsenko, V. D. Chumak, “Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphire”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 907–909 |
14
|
|
