|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. Б. Гордеева, А. С. Власов, Г. С. Гагис, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, Н. М. Шмидт, М. П. Щеглов, “Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)”, Письма в ЖТФ, 50:15 (2024), 47–50   |
|
2023 |
| 2. |
Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Р. Ю. Козлов, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, А. С. Власов, В. И. Васильев, “Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb”, Письма в ЖТФ, 49:20 (2023), 20–22 |
|
2022 |
| 3. |
Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, В. П. Хвостиков, М. В. Нахимович, А. С. Власов, В. И. Васильев, “Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения”, Письма в ЖТФ, 48:21 (2022), 3–5 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
Г. С. Гагис, В. И. Васильев, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, “Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 22–24 ; G. S. Gagis, V. I. Vasil'ev, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, V. I. Kuchinskii, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “Investigation of the effect of doping on transition layers of anisotype GaInAsP and InP heterostructures obtained by the method of MOCVD”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 961–963 |
1
|
|
2019 |
| 5. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518 ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
| 6. |
Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25 ; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 |
1
|
|
2018 |
| 7. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, В. И. Кучинский, А. Г. Дерягин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, “Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 78–86 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, V. I. Kuchinskii, A. G. Deryagin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “A study of transition regions in InAsPSb/InAs heterostructures grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 905–908 |
3
|
| 9. |
А. Е. Маричев, Р. В. Левин, А. Б. Гордеева, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный, Н. Д. Прасолов, Н. М. Шмидт, “Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 3–9 ; A. E. Marichev, R. V. Levin, A. B. Gordeeva, G. S. Gagis, V. I. Kuchinskii, B. V. Pushnii, N. D. Prasolov, N. M. Shmidt, “Stress relaxation in InGaAsP/InP heterostructures for 1064-nm laser radiation converters”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 88–91 |
|
2015 |
| 10. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, В. Г. Данильченко, “Формирование тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 984–988 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, V. I. Kuchinskii, V. G. Danl'chenko, “Formation of III–V ternary solid solutions on GaAs and GaSb plates via solid-phase substitution reactions”, Semiconductors, 49:7 (2015), 962–966 |
5
|
|
2013 |
| 11. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, В. П. Хвостиков, Е. П. Марухина, “Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения”, Письма в ЖТФ, 39:10 (2013), 49–53 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, V. I. Kuchinskii, V. P. Khvostikov, E. P. Marukhina, “Obtaining nanodimensional layers of GaAsP solid solutions on GaAs by solid-state substitution reactions”, Tech. Phys. Lett., 39:5 (2013), 472–474 |
3
|
|
2012 |
| 12. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, М. Н. Мизеров, “Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 66–74 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, B. V. Pushnii, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, M. N. Mizerov, “AlInAsSb and AlGaInAsSb solid solutions for barrier layers of 3–5 $\mu$m spectral range radiation sources obtained by the method of vapor-phase epitaxy from organometallic compounds”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 900–903 |
| 13. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Лёвин, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный, “Исследование свойств слоев узкозонных (0.3–0.48 eV) твердых растворов A$^3$B$^5$, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 23–30 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, B. V. Pushnii, “Properties of narrow-bandgap (0.3–0.48 eV) A$^3$B$^5$ solid solution epilayers grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 409–411 |
3
|
|
