|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Ш. Н. Усмонов, У. П. Асатова, “Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 23–26   ; A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova, “Peculiarities of the current–voltage characteristic of $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$ heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1124–1127 |
4
|
|
2018 |
| 2. |
А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Ш. Н. Усмонов, К. А. Амонов, “Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1066–1070 ; A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov, “Effect of injection depletion in $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) heterostructure”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1188–1192 |
4
|
|
2016 |
| 3. |
С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, М. У. Каланов, Ш. Н. Усмонов, В. М. Рустамова, А. Й. Бобоев, “Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 60–66 ; S. Zaynabidinov, A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, M. U. Kalanov, Sh. N. Usmonov, V. M. Rustamova, A. Boboev, “Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ epitaxial films”, Semiconductors, 50:1 (2016), 59–65 |
5
|
|
2015 |
| 4. |
А. С. Саидов, Ш. Н. Усмонов, М. С. Саидов, “Жидкофазная эпитаксия твердого раствора замещения (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) и некоторые электрофизические свойства”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 557–560 ; A. S. Saidov, Sh. N. Usmonov, M. S. Saidov, “Liquid-phase epitaxy of the (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ substitutional solid solution (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) and their electrophysical properties”, Semiconductors, 49:4 (2015), 547–550 |
3
|
|
2014 |
| 5. |
Ш. Н. Усмонов, А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, “Эффект инжекционного обеднения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе твердых растворов (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$, (Si$_2$)$_{1-x}$(CdS)$_x$, (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$, CdTe$_{1-x}$S$_x$”, Физика твердого тела, 56:12 (2014), 2319–2325 ; Sh. N. Usmonov, A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, “Effect of injection depletion in $p$–$n$ heterostructures based on solid solutions (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$, (Si$_2$)$_{1-x}$(CdS)$_x$, (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$, and CdTe$_{1-x}$S$_x$”, Phys. Solid State, 56:12 (2014), 2401–2407 |
6
|
|
2013 |
| 6. |
А. С. Саидов, Ш. Н. Усмонов, М. У. Каланов, А. Н. Куpмантаев, А. Н. Бахтибаев, “Cтpуктуpные и некотоpые электpофизичеcкие cвойcтва твеpдого pаcтвоpа Si$_{1-x}$Sn$_x$ (0 $\le x\le$ 0.04)”, Физика твердого тела, 55:1 (2013), 36–43 ; A. S. Saidov, Sh. N. Usmonov, M. U. Kalanov, A. N. Kurmantayev, A. N. Bahtybayev, “Structural and some electrophysical properties of the solid solutions Si$_{1-x}$Sn$_x$ (0 $\le x\le$ 0.04)”, Phys. Solid State, 55:1 (2013), 45–53 |
9
|
|
2012 |
| 7. |
А. С. Саидов, Ш. Н. Усмонов, У. П. Асатова, “Выращивание пленок твердого раствора Ge$_{1-x}$Sn$_x$ и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1111–1119 ; A. S. Saidov, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova, “Growth of Ge$_{1-x}$Sn$_x$ solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1088–1095 |
|
