|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. Е. Черняков, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, Л. А. Алексанян, А. Я. Поляков, “Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 397–401  |
| 2. |
Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, С. В. Воробьев, А. Ю. Плеханов, И. К. Терновых, А. Д. Роенков, М. В. Пузык, Е. И. Шабунина, Е. В. Гущина, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Н. Смирнов, С. Ю. Приображенский, Е. М. Танклевская, “Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции”, Письма в ЖТФ, 51:3 (2025), 13–16  |
|
2023 |
| 3. |
И. А. Елисеев, А. С. Усиков, А. Д. Роенков, С. П. Лебедев, В. Н. Петров, А. Н. Смирнов, А. А. Лебедев, Е. В. Гущина, Е. М. Танклевская, Е. И. Шабунина, М. В. Пузык, Н. М. Шмидт, “Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2216–2219 |
| 4. |
Н. А. Тальнишних, А. Е. Иванов, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023), 1499–1501 |
|
2022 |
| 5. |
И. А. Елисеев, Е. А. Гущина, С. А. Клотченко, А. А. Лебедев, Н. М. Лебедева, С. П. Лебедев, А. В. Нащекин, В. Н. Петров, М. В. Пузык, А. Д. Роенков, А. Н. Смирнов, Е. М. Танклевская, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022), 1137–1143 |
|
2020 |
| 6. |
Н. М. Шмидт, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, “Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 45–48 ; N. M. Shmidt, E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. E. Ivanov, N. А. Talnishnikh, A. L. Zakhgeim, “Temperature-dependent decrease in efficiency in power blue InGaN/GaN LEDs”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1253–1256 |
4
|
|
2019 |
| 7. |
А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1604–1608 ; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 |
8
|
| 8. |
В. А. Добров, В. В. Козловский, А. В. Мещеряков, В. Г. Усыченко, А. С. Чернова, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 555–561 ; V. A. Dobrov, V. V. Kozlovsky, A. V. Mescheryakov, V. G. Usychenko, A. S. Chernova, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Effect of electron irradiation with an energy of 0.9 MeV on the I–V characteristics and low-frequency noise in 4$H$-SiC pin diodes”, Semiconductors, 53:4 (2019), 545–551 |
3
|
|
2018 |
| 9. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
|
2016 |
| 10. |
В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1195–1201 ; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 |
8
|
|
2014 |
| 11. |
Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. В. Сахаров, С. Ю. Курин, А. А. Антипов, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, Ю. Н. Макаров, H. Helava, “Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 40:13 (2014), 73–80 ; N. M. Shmidt, A. S. Usikov, E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. V. Sakharov, S. Yu. Kurin, A. A. Antipov, I. S. Barash, A. D. Roenkov, Yu. N. Makarov, H. Helava, “Study of the degradation of the external quantum efficiency of UV LEDs based on AlGaN/GaN heterostructures grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 40:7 (2014), 574–577 |
1
|
|
2012 |
| 12. |
А. Л. Закгейм, М. Е. Левинштейн, В. П. Петров, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 219–223 ; A. L. Zakhgeim, M. E. Levinshteǐn, V. P. Petrov, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Low-frequency noise in as-fabricated and degraded blue InGaAs/GaN LEDs”, Semiconductors, 46:2 (2012), 208–212 |
12
|
|
